[發明專利]用于氫化四氯化硅的方法有效
| 申請號： | 201680090829.2 | 申請日： | 2016-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN109963645B | 公開（公告）日： | 2022-03-11 |
| 發明（設計）人： | 馬丁·策特爾;安德烈亞斯·希爾施曼;烏韋·佩措爾德;羅伯特·林 | 申請（專利權）人： | 瓦克化學股份公司 |
| 主分類號： | B01J12/00 | 分類號： | B01J12/00;B01J19/02;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 殷爽 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 氫化 氯化 方法 | ||
1.一種在反應器中氫化四氯化硅的方法，其中通過包含石墨表面的至少一個加熱元件將含有氫氣和四氯化硅的進料氣體加熱至850℃至1600℃的范圍內的溫度，所述加熱元件的溫度處于850℃至1600℃的范圍內，所述方法的特征在于以基于氫氣的0.1至10％的摩爾比將氮氣添加到所述進料氣體中以鈍化所述石墨表面。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于以基于氫氣的0.5至5％的摩爾比添加氮氣。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于以基于氫氣的1至4％的摩爾比添加氮氣。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于以基于氫氣的1.5至3％的摩爾比添加氮氣。
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述加熱元件的溫度為850至1500℃。
6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述加熱元件的溫度為900至1400℃。
7.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述加熱元件的溫度為900至1300℃。
8.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述進料氣體的溫度為850至1500℃。
9.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述進料氣體的溫度為900至1400℃。
10.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述進料氣體的溫度為900至1300℃。
11.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在2至18巴的范圍內的壓力下實施所述方法。
12.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在3至17巴的范圍內的壓力下實施所述方法。
13.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在4至16巴的范圍內的壓力下實施所述方法。
14.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在5至15巴的范圍內的壓力下實施所述方法。
15.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于四氯化硅和氫氣以1:1.3至1:2.5的摩爾比存在。
16.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于四氯化硅和氫氣以1:1.5至1:2.3的摩爾比存在。
17.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于四氯化硅和氫氣以1:1.6至1:2.2的摩爾比存在。
18.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述石墨表面涂覆有碳化硅。
19.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述進料氣體中另外存在硼化合物。
20.根據權利要求19所述的方法，其特征在于所述硼化合物選自由乙硼烷、高硼烷、硼-鹵素化合物、硼硅基化合物以及它們的混合物組成的組。
21.根據權利要求19所述的方法，其特征在于以基于進料氣體的量的0.1ppmv至100ppmv的摩爾比添加所述硼化合物。
22.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于將至少一個換熱器安裝在所述至少一個加熱元件的上游和/或下游。
23.根據權利要求22所述的方法，其特征在于所述至少一個換熱器包含石墨表面。
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