[發明專利]用于形成熱噴墨打印頭的方法、熱噴墨打印頭和半導體晶圓

有效

• 申請號: 201680090270.3
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號: CN109843594B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: P·斯基納;S·巴爾迪;I·蒂塞尼亞;M·佩里尼
• 申請（專利權）人: 錫克拜控股有限公司
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種用于形成熱噴墨打印頭的方法，所述方法至少包括以下步驟：

提供半導體晶圓，所述半導體晶圓包括集成電子電路和用于形成熱致動器元件的部分，所述集成電子電路至少包括：

形成在襯底上方的熱隔絕層；以及

形成在所述熱隔絕層上方的第一金屬層，

其中，所述第一金屬層延伸到所述用于形成熱致動器元件的部分中；以及

將所述用于形成熱致動器元件的部分蝕刻到所述第一金屬層，使得所述第一金屬層用作蝕刻停止層，

其中，所述集成電子電路是在互補金屬氧化物半導體制造廠即CMOS制造廠中生產的，并且所述用于形成熱致動器元件的部分是在微機電系統制造廠即MEMS制造廠中生產的。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：部分地去除在所述用于形成熱致動器元件的部分中的所述第一金屬層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，還包括以下步驟：至少部分地在所述用于形成熱致動器元件的部分中的所述熱隔絕層上方并且至少部分地在所述第一金屬層上方形成電阻層，并至少部分地在所述電阻層上方形成金屬軌層，并且使用光刻和蝕刻技術去除所述用于形成熱致動器元件的部分中的所述金屬軌層。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括以下步驟：在所述用于形成熱致動器元件的部分上方形成介電層，并且所述集成電子電路至少覆蓋所述用于形成熱致動器元件的部分中的所述金屬軌層和所述電阻層。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括以下步驟：在所述用于形成熱致動器元件的部分中的所述介電層上方形成空化層。

6.一種熱噴墨打印頭，其包括集成電子電路和用于形成熱致動器元件的部分，所述熱噴墨打印頭是根據權利要求1至5中任一項所述的方法形成的。

7.一種半導體晶圓，包括集成電子電路和用于形成熱致動器元件的部分，

所述集成電子電路至少包括：

形成在襯底上方的熱隔絕層；以及

形成在所述熱隔絕層上方的第一金屬層，所述第一金屬層是在所述集成電子電路中使用的金屬層其中之一，

其中，所述第一金屬層延伸到所述用于形成熱致動器元件的部分中，使得所述第一金屬層在形成所述熱致動器元件時能夠用作蝕刻停止層，以及

所述集成電子電路是在互補金屬氧化物半導體制造廠即CMOS制造廠中生產的，并且所述用于形成熱致動器元件的部分是在微機電系統制造廠即MEMS制造廠中生產的。

8.根據權利要求7所述的半導體晶圓，其中，所述熱隔絕層的厚度為0.6至2.0μm。

9.根據權利要求7或8所述的半導體晶圓，其中，形成在所述第一金屬層上方的層的堆疊具有小于3.5μm的厚度。

10.根據權利要求7或8所述的半導體晶圓，其中，所述第一金屬層在全部的所述用于形成熱致動器元件的部分上形成。

11.根據權利要求7或8所述的半導體晶圓，其中，所述熱致動器元件是流體熱致動器。

12.根據權利要求8所述的半導體晶圓，其中，所述熱隔絕層的厚度為0.8至1.6μm。

13.根據權利要求12所述的半導體晶圓，其中，所述熱隔絕層的厚度為1.0至1.2μm。

14.根據權利要求9所述的半導體晶圓，其中，形成在所述第一金屬層上方的層的堆疊具有在2至3μm之間的厚度。