[發明專利]清洗半導體硅片的裝置和方法在審
| 申請號: | 201680090169.8 | 申請日: | 2016-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN109890520A | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 王暉;王希;初振明;陳福平 | 申請(專利權)人: | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/12 | 分類號: | B08B3/12;H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體硅片 超聲波 兆聲波裝置 清洗液 清洗 旋轉驅動器 噴嘴 致動器 卡盤 兆聲波能量 表面噴灑 驅動卡盤 地被 夾持 填滿 驅動 傳遞 移動 保證 | ||
1.一種清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,包括:
卡盤,夾持半導體硅片;
超聲波或兆聲波裝置;
致動器,驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體硅片表面上方的位置,在超聲波或兆聲波裝置和半導體硅片表面之間形成間隙;
至少一個噴嘴,向半導體硅片的表面噴灑清洗液;以及
旋轉驅動器,驅動卡盤以低于設定的旋轉速度旋轉,以保證超聲波或兆聲波裝置和半導體硅片表面之間的間隙完全地且持續地被清洗液填滿,從而使超聲波或兆聲波能量通過清洗液穩定地傳遞到整個半導體硅片表面。
2.根據權利要求1所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,半導體硅片的表面是親水性的。
3.根據權利要求1所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的至少一個噴嘴是中心噴嘴。
4.根據權利要求3所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的旋轉驅動器驅動卡盤以低于30rpm的旋轉速度旋轉。
5.根據權利要求4所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的旋轉驅動器驅動卡盤以10-30rpm的旋轉速度旋轉。
6.根據權利要求3所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,進一步包括懸臂,所述的超聲波或兆聲波裝置設置在懸臂的下方,所述的中心噴嘴設置在懸臂的末端。
7.根據權利要求3所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的中心噴嘴正對半導體硅片的中心或略越過半導體硅片的中心。
8.根據權利要求1所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的至少一個噴嘴是設置在超聲波或兆聲波裝置一側邊的邊噴嘴。
9.根據權利要求8所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的旋轉驅動器驅動卡盤以低于45rpm的旋轉速度旋轉。
10.根據權利要求9所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的旋轉驅動器驅動卡盤以10-45rpm的旋轉速度旋轉。
11.根據權利要求8所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,所述的邊噴嘴具有若干個噴射孔,該若干個噴射孔在超聲波或兆聲波裝置的一側邊呈線性排列。
12.根據權利要求1所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,進一步包括豎直驅動器,驅動超聲波或兆聲波裝置豎直移動以改變超聲波或兆聲波裝置和半導體硅片表面之間的間隙。
13.根據權利要求1所述的清洗半導體硅片的裝置,其特征在于,進一步包括若干個定位銷,設置在卡盤上,固定半導體硅片。
14.一種清洗半導體硅片的方法,其特征在于,包括:
利用卡盤夾持半導體硅片;
向半導體硅片的表面噴灑清洗液;
使超聲波或兆聲波裝置移動到半導體硅片表面上方的位置,在超聲波或兆聲波裝置和半導體硅片表面之間形成間隙;
使卡盤以低于設定的旋轉速度旋轉,以保證超聲波或兆聲波裝置和半導體硅片表面之間的間隙完全地且持續地被清洗液填滿,從而使超聲波或兆聲波能量通過清洗液穩定地傳遞到整個半導體硅片表面。
15.根據權利要求14所述的清洗半導體硅片的方法,其特征在于,半導體硅片表面是親水性的。
16.根據權利要求14所述的清洗半導體硅片的方法,其特征在于,利用至少一個中心噴嘴向半導體硅片的表面噴灑清洗液。
17.根據權利要求16所述的清洗半導體硅片的方法,其特征在于,使卡盤以低于30rpm的旋轉速度旋轉。
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