[發明專利]陶瓷部件及其形成方法

在審

• 申請號: 201680089635.0
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN109803942A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: S·波提利瑞;V·約翰內森;N·納哈斯;S·D·哈特蘭
• 申請（專利權）人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 徐舒

1.一種坯體，其包括：

第一相，其包括碳化硅；

第二相，其包括金屬氧化物，其中所述第二相是定位在所述第一相的晶界處的離散晶間相；并且

其中所述坯體的平均強度為至少700MPa。

2.一種坯體，其包括：

第一相，其包括碳化硅并且其平均晶粒尺寸不大于2微米；

第二相，其包括金屬氧化物，其中所述第二相是定位在所述第一相的晶界處的離散晶間相；并且

其中所述坯體包括以下中的至少一個：

至少為1000/100微米圖像寬度的第二相計數指數；

至少為2000像素//100微米圖像寬度的第二相平均面積指數；

至少為3.00像素²的第二相平均尺寸指數；

或其任何組合。

3.根據權利要求1和2中任一項所述的坯體，其中所述坯體包括所述坯體的總重量的至少70wt％并且不大于99wt％的所述第一相，并且其中所述第一相包括α相碳化硅。

4.根據權利要求1和2中任一項所述的坯體，其中所述第一相的平均晶粒尺寸不大于2微米。

5.根據權利要求1和2中任一項所述的坯體，其中所述第一相的最大晶粒尺寸不大于10微米。

6.根據權利要求1和2中任一項所述的坯體，其中所述坯體包括所述坯體的總重量的至少1wt％并且不大于10wt％的所述第二相，并且其中所述第二相的所述金屬氧化物包括鋁和硅。

7.根據權利要求1和2中任一項所述的坯體，其中所述坯體的平均強度為至少700MPa。

8.根據權利要求1和2中任一項所述的坯體，其中所述坯體的平均強度為至少700MPa并且不大于1200MPa。

9.根據權利要求1和2中任一項所述的坯體，其中所述第二相是定位在所述第一相的所述晶界處的離散晶間相，并且其中所述坯體的第二相計數指數為至少1000。

10.根據權利要求2和9中任一項所述的坯體，其中所述第二相計數指數為至少1100/100微米圖像寬度并且不大于4000/100微米圖像寬度。

11.根據權利要求2和9中任一項所述的坯體，其中所述第二相平均面積指數為至少2500像素/100微米圖像寬度并且不大于30000像素/100微米圖像寬度。

12.根據權利要求2和9中任一項所述的坯體，其中所述第二相平均尺寸指數為至少3.10像素²并且不大于10.00像素²。

13.根據權利要求2和9中任一項所述的坯體，其中所述坯體包括以下中的至少一個：

處于至少1000/100微米圖像寬度并且不大于4000/100微米圖像寬度的范圍內的第二相計數指數；

處于至少2000像素/100微米圖像寬度并且不大于30000像素/100微米圖像寬度的范圍內的第二相平均面積指數；

處于至少3.00像素²并且不大于10.00像素²的范圍內的第二相平均尺寸指數；

或其任何組合。

14.根據權利要求1和2任一項所述的坯體，其中所述坯體的平均磨損值處于包含至少0.0001cc并且不大于0.1cc的范圍內，并且進一步地其中所述坯體的平均斷裂韌度為至少3.7MPa m^1/2并且不大于7MPa m^1/2，并且進一步地其中所述坯體的平均硬度(HV_0.1kg)為至少20GPa并且不大于40GPa。

15.一種形成坯體的方法，其包括：

獲得粉末材料混合物，所述混合物包括：

第一粉末材料，其包括碳化硅；以及

第二粉末材料，其包括金屬氧化物；以及

燒結所述粉末材料混合物以形成包括以下的坯體：

第一相，其包括碳化硅；

第二相，其包括金屬氧化物，其中所述第二相是定位在所述第一相的晶界處的離散晶間相；并且

其中所述坯體的平均強度為至少700MPa。