[發明專利]清洗襯底的方法和裝置

有效

• 申請號: 201680089376.1
• 申請日: 2016-09-19
• 公開（公告）號: CN109789450B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 王暉;王希;陳福平;陳福發;王堅;張曉燕;金一諾;賈照偉;王俊;李學軍
• 申請（專利權）人: 盛美半導體設備(上海)股份有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種使用超/兆聲波裝置清洗襯底上的通孔、凹進區域的方法，其特征在于，包括：

將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；

設置超/兆聲波電源的頻率為f₁，功率為P₁以驅動超/兆聲波裝置在氣泡總體積和襯底上的通孔、凹進區域的體積的比值增大到第一設定值后，設置超/兆聲波電源的頻率為f₂，功率為P₂以驅動超/兆聲波裝置；

在氣泡總體積和襯底上的通孔、凹進區域的體積的比值減小到第二設定值后，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f₁，功率為P₁；

重復以上步驟直到襯底洗凈。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第一設定值低于氣泡飽和點。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第一設定值為氣泡飽和點。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，即使在氣泡總體積和襯底上的通孔、凹進區域的體積的比值達到氣泡飽和點后，超/兆聲波電源仍然保持頻率為f₁，功率為P₁，且持續時間為mτ₁，這里的τ₁為達到氣泡飽和點的時間，m為τ₁的倍數，隨后，設置超/兆聲波電源的頻率為f₂，功率為P₂以驅動超/兆聲波裝置。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，m的值為0.1-100。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，氣泡內的溫度冷卻導致氣泡總體積和襯底上的通孔、凹進區域的體積的比值減小到第二設定值。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，設置所述超/兆聲波電源頻率為f₁，功率為P₁和設置所述超/兆聲波電源頻率為f₂，功率為P₂之間的時間間隔小于2000倍的頻率為f₁的波形周期。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，設置所述超/兆聲波電源頻率為f₁，功率為P₁和設置所述超/兆聲波電源頻率為f₂，功率為P₂之間的時間間隔小于((Vi-V0–ΔV)/(ΔV-δV)+1)/f₁，其中，Vi為所需體積，V0為初始體積，ΔV為氣泡在一次壓縮后的體積減量，δV為氣泡在一次膨脹后的體積增量。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述功率P₂的值設為0。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述頻率f₁等于所述頻率f₂，所述功率P₂小于所述功率P₁。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述頻率f₁高于所述頻率f₂，所述功率P₂小于所述功率P₁。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述頻率f₁小于所述頻率f₂，所述功率P₁等于所述功率P₂。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述頻率f₁小于所述頻率f₂，所述功率P₁大于所述功率P₂。