[發(fā)明專利]用于MMIC HEMT放大器的補(bǔ)償器器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680088015.5 | 申請日： | 2016-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN109565262B | 公開（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 盧卡·皮亞宗 | 申請（專利權(quán)）人： | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/30 | 分類號： | H03F1/30;H03F3/195 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永強(qiáng);李稷芳 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 mmic hemt 放大器 補(bǔ)償 器件 | ||
1.一種用于偏置單片微波集成電路MMIC高電子遷移率晶體管HEMT放大器(602)的柵極的補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)包括：
兩個電阻器(R1、R2)；
與所述兩個電阻器(R1、R2)串聯(lián)連接并且位于所述兩個電阻器(R1、R2)之間的至少兩個HEMT(Q1、Q2)，其中：
選擇所述電阻器(R1、R2)和所述HEMT(Q1、Q2)，使得在補(bǔ)償器器件(100)的操作中，至少一個第一HEMT(Q1)的偏置點在飽和區(qū)中，至少一個第二HEMT(Q2)的偏置點在歐姆區(qū)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于：
所述至少兩個HEMT(Q1、Q2)的閾值電壓和/或跨導(dǎo)分別和HEMT放大器的閾值電壓和/或跨導(dǎo)對溫度和/或工藝變化的靈敏度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于：
所述兩個電阻器(R1、R2)中的至少一個電阻器為薄膜電阻器(TFR-1、TFR-2)。
4.一種補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)具有權(quán)利要求1至3任意一項所述補(bǔ)償器器件(100)的全部特征，并且：
所述兩個電阻器(R1、R2)中的至少一個電阻器為臺面電阻器(MESA-1、MESA-2)。
5.一種補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)具有權(quán)利要求1至4任意一項所述補(bǔ)償器器件(100)的全部特征，并且：
所述至少兩個HEMT(Q1、Q2)為GaAs HEMT(HEMT-1、HEMT-2)。
6.一種補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)具有權(quán)利要求1至5任意一項所述補(bǔ)償器器件(100)的全部特征，并且，還包括：
與每個HEMT(Q1、Q2)的柵極連接的輸入端口(VS)，其優(yōu)選地為焊盤(302)，其中，所述輸入端口(VS)還與外部柵極電源連接。
7.一種補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)具有權(quán)利要求1至6任意一項所述補(bǔ)償器器件(100)的全部特征，并且，還包括：
與第一電阻器(R1)連接的接地通孔(301)。
8.一種補(bǔ)償器器件，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)具有權(quán)利要求1至6任意一項所述補(bǔ)償器器件(100)的全部特征，并且，還包括：
與第一電阻器(R1)連接的焊盤(401)。
9.一種補(bǔ)償器器件(100)，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)具有權(quán)利要求7至8任意一項所述補(bǔ)償器器件(100)的全部特征，并且還包括：
連接在所述第一電阻器(R1)和所述至少兩個HEMT(Q1、Q2)之間的輸出端口(VG)。
10.一種單片微波集成電路MMIC放大器器件(600)，其特征在于，包括高電子遷移率晶體管HEMT放大器(602)和權(quán)利要求1至9中任一項所述的用于偏置HEMT放大器(602)的柵極的補(bǔ)償器器件(100)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MMIC放大器器件(600)，其特征在于，所述補(bǔ)償器器件(100)的輸入端口(VS)與柵極電源連接，所述補(bǔ)償器器件(100)的輸出端口(VG)與所述HEMT放大器(602)的柵極連接。
12.一種通信設(shè)備，其特征在于，包括至少一個權(quán)利要求10和權(quán)利要求11任一項所述的MMIC放大器器件(600)。
13.一種用于補(bǔ)償提供給具有補(bǔ)償器器件(100)的單片微波集成電路MMIC高電子遷移率晶體管HEMT放大器(602)的柵極電壓的方法，其特征在于：
所述補(bǔ)償器器件(100)包括兩個電阻器(R1、R2)以及與所述兩個電阻器(R1、R2)串聯(lián)連接并且位于所述兩個電阻器(R1、R2)之間的至少兩個HEMT(Q1、Q2)；
所述方法包括：將至少一個第一HEMT(Q1)的偏置點設(shè)置在飽和區(qū)中，以及將至少一個第二HEMT(Q2)的偏置點設(shè)置在歐姆區(qū)中。
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