[發明專利]用于在真空沉積工藝中在基板上進行材料沉積的設備、用于在基板上進行濺射沉積的系統和用于制造用于在基板上進行材料沉積的設備的方法

在審

• 申請號: 201680086715.0
• 申請日: 2016-06-16
• 公開（公告）號: CN109379895A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 細川昭弘
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于在真空沉積工藝中在基板上進行材料沉積的設備，包括：

靶材支撐件；

兩個或更多個靶材分段，所述兩個或更多個靶材分段由所述靶材支撐件支撐，其中第一間隙設在所述兩個或更多個靶材分段的相鄰靶材分段之間；和

兩個或更多個粘合層部分，所述兩個或更多個粘合層部分的每個層部分將所述兩個或更多個靶材分段的相應靶材分段粘合到所述靶材支撐件，

其中相鄰靶材分段的粘合層部分以大于所述第一間隙的第二間隙彼此分開。

2.如權利要求1所述的設備，其中所述靶材支撐件具有縱向線度，并且其中所述第二間隙的沿著所述靶材支撐件的所述縱向線度的第二線度大于所述第一間隙的沿著所述靶材支撐件的所述縱向線度的第一線度。

3.如權利要求1或2所述的設備，其中所述靶材支撐件選自由以下組成的群組：圓柱形靶材支撐件、背管和以上項的任何組合。

4.如權利要求1至3中任一項所述的設備，其中所述第一間隙和所述第二間隙沿著所述靶材支撐件的旋轉軸線延伸。

5.如權利要求1至4中任一項所述的設備，其中所述第二間隙比所述第一間隙大至少5％或至少10％。

6.如權利要求1至5中任一項所述的設備，其中所述第二間隙提供在所述靶材支撐件與相應靶材分段的一部分之間的底切區域。

7.如權利要求1至6中任一項所述的設備，其中所述第一間隙與所述第二間隙的組合形成所述靶材支撐件的橫截平面中的T形或倒T形。

8.如權利要求1至7中任一項所述的設備，其中沒有設在所述第二間隙中的材料。

9.一種用于在基板上進行濺射沉積的系統，包括：

真空腔室；和

在所述真空腔室中的一個或多個濺射沉積源，其中所述一個或多個濺射沉積源的至少一個濺射沉積源包括如權利要求1至8中任一項所述的設備。

10.一種用于制造用于在基板上進行材料沉積的設備的方法，所述方法包括：

使用用于兩個或更多個靶材分段的每一個靶材分段的相應粘合層部分將所述兩個或更多個靶材分段粘合到靶材支撐件，相鄰靶材分段之間設有第一間隙，

其中相鄰靶材分段的粘合層部分以大于所述第一間隙的第二間隙彼此分開。

11.如權利要求10所述的方法，進一步包括：

在所述兩個或更多個靶材分段的所述粘合期間為所述第一間隙和所述第二間隙提供填充裝置。

12.如權利要求11所述的方法，進一步包括：

在所述兩個或更多個靶材分段的所述粘合之后移除所述填充裝置。

13.如權利要求11或12所述的方法，其中所述填充裝置是T形墊圈。

14.如權利要求10所述的方法，其中所述兩個或更多個靶材分段的所述粘合包括：

使用在所述兩個或更多個靶材分段與所述靶材支撐件之間的粘合材料將所述兩個或更多個靶材分段粘合到所述靶材支撐件，相鄰靶材分段之間設有第一間隙，

通過所述第一間隙移除一些所述粘合材料以形成所述第二間隙。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述粘合材料的所述移除包括蝕刻所述粘合材料以形成所述第二間隙。