[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及記錄介質

在審

• 申請號: 201680086711.2
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN109314046A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 佐佐木伸也;道田典明
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/265;H01L21/316
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

1.一種基板處理裝置，具有：

處理室，對基板進行處理，

加熱裝置，由電磁波對所述基板進行加熱，

氣體供給部，至少具有向所述處理室內供給含氫氣體的含氫氣體供給系統和對所述處理室內供給非活性氣體的非活性氣體供給系統，

等離子體生成部，由等離子體激發所述含氫氣體，以及

控制部，其構成為分別控制所述加熱裝置、所述氣體供給部、所述等離子體生成部，以使得將由所述等離子體生成部激發的所述含氫氣體供給至所述基板來對所述基板表面添加氫原子，并且在添加了所述氫原子后由所述電磁波對所述基板進行加熱從而使所述基板改性。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，

所述控制部構成為分別控制所述加熱裝置、所述氣體供給部、所述等離子體生成部，以使得進行添加所述氫原子的處理和在該添加處理結束后立即由所述電磁波對所述基板改性的處理。

3.如權利要求1所述的基板處理裝置，

并且，所述處理室設置有多個，具有第一處理室和第二處理室，所述第一處理室與所述等離子體生成部連接并進行由等離子體激發所述含氫氣體來對所述基板表面添加氫原子的處理，所述第二處理室與所述加熱裝置連接并在所述第一處理室內添加了氫原子。

4.如權利要求1所述的基板處理裝置，

所述氣體供給部進一步具有供給原料氣體的原料氣體供給系統和供給反應氣體的反應氣體供給系統，

所述控制部構成為分別控制所述加熱裝置、所述氣體供給部、所述等離子體生成部，以使得通過向所述基板表面供給所述原料氣體和所述反應氣體來形成要添加所述氫原子的預定膜，并在形成所述預定膜后供給所述含氫氣體來添加所述氫原子。

5.如權利要求1所述的基板處理裝置，

所述控制部構成為分別控制所述加熱裝置、所述氣體供給部、所述等離子體生成部，以使得添加氫原子而使所述氫原子含有率達到0.5％以上。

6.如權利要求1所述的基板處理裝置，

所述控制部構成為分別控制所述加熱裝置、所述氣體供給部、所述等離子體生成部，以使得添加氫原子而使所述氫原子含有率達到80％以下。

7.如權利要求1所述的基板處理裝置，

所述加熱裝置所供給的電磁波是微波。

8.一種半導體裝置的制造方法，

是使用基板處理裝置的半導體裝置的制造方法，所述基板處理裝置具有對基板進行處理的處理室、由電磁波加熱所述基板的加熱裝置、至少具有向所述處理室內供給含氫氣體的含氫氣體供給系統和向所述處理室內供給非活性氣體的非活性氣體供給系統的氣體供給部以及由等離子體激發所述含氫氣體的等離子體生成部，

所述制造方法具有：

將所述基板搬入處理室內的工序，

向所述處理室內供給含氫氣體，由所述等離子體生成部生成的等離子體激發所述含氫氣體，并向所述基板表面添加氫原子的工序，

由所述加熱裝置對所述處理室內供給電磁波，對添加了所述氫原子的基板進行改性的工序。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，

實施以下工序：向所述基板表面添加所述氫原子的工序，以及在該添加處理結束后立即將所述基板改性的工序。

10.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，

進一步具有以下工序：在向所述基板表面添加所述氫原子的工序前向所述處理室內供給原料氣體和反應體，形成預定膜的工序。

11.一種計算機可讀記錄介質，其是記錄有使用了下述基板處理裝置的程序的計算機可讀記錄介質，所述基板處理裝置具有對基板進行處理的處理室、由電磁波加熱所述基板的加熱裝置、至少具有向所述處理室內供給含氫氣體的含氫氣體供給系統和向所述處理室內供給非活性氣體的非活性氣體供給系統的氣體供給部以及由等離子體激發所述含氫氣體的等離子體生成部，

所述計算機可讀記錄介質記錄有通過計算機使所述基板處理裝置執行如下步驟的程序：

將所述基板搬入處理室內的步驟，

向所述處理室內供給含氫氣體的步驟，

通過由所述等離子體生成部生成的等離子體來激發所述含氫氣體，并供給到所述基板表面而添加氫原子的步驟，

由所述加熱裝置向所述處理室內供給電磁波，將添加了所述氫原子的基板改性的步驟。