[發(fā)明專利]硅倍半氧烷改性的TiO2溶膠在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680085438.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109071876A | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王林飛;扈楠;陳紅宇;馬萬福;蔡宇;羽賀滿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陶氏環(huán)球技術(shù)有限責(zé)任公司;羅門哈斯電子材料有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C08K9/06 | 分類號(hào): | C08K9/06;C08L83/00;C01G23/053 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 可輻射固化組合物 硅倍半氧烷 硫醇基 氧化鈦 有機(jī)膜 外部 改性 | ||
一種組合物,其包含具有中心部分和至少部分圍繞所述中心部分的外部部分的顆粒,其中所述中心部分包含氧化鈦,并且所述外部部分包含具有硫醇基的硅倍半氧烷。還提供一種形成所述組合物的方法、反應(yīng)產(chǎn)物、在物體上形成的有機(jī)膜、可輻射固化組合物以及由所述可輻射固化組合物形成的材料。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明大體上涉及硅倍半氧烷改性的二氧化鈦(TiO2)溶膠(膠態(tài)固體在液體中的流體懸浮液),形成TiO2溶膠的方法,包含TiO2溶膠的可輻射固化組合物和由可輻射固化組合物形成的材料。具體來說,本發(fā)明涉及TiO2溶膠,其中所述TiO2至少部分地被具有硫醇基的硅倍半氧烷覆蓋。TiO2溶膠提供高折射率(RI)材料,其可用于在電子元件如氧化銦錫(ITO)電極上的絕緣涂層材料。
背景技術(shù)
電子元件通常由有機(jī)涂層材料覆蓋,以防止其氧化或腐蝕。ITO已被用作觸摸屏面板上的透明電極,并且還被有機(jī)涂層材料涂覆。通常,將ITO電極安裝在玻璃襯底上,然后在ITO電極的表面上施加絕緣材料作為其保護(hù)層。通常,丙烯酸或聚硅氧烷型聚合物組合物用于ITO電極的絕緣層,但是這些絕緣層通常使ITO電極可見。原因是這些絕緣層的折射率(1.3-1.5)和ITO的RI(1.6-1.8)非常不同,并且RI方面的差異在絕緣層和ITO之間的界面上引起強(qiáng)烈的光反射,使ITO電極可見。光反射大大降低了顯示器的透光率,并且引起顯示器的相應(yīng)較低的視覺效能。因此,期望具有與ITO的RI相同或非常相似水平的RI的絕緣層。
在絕緣層組合物中加入TiO2以增加絕緣層的RI。某些現(xiàn)有技術(shù)參考文獻(xiàn)公開了包含TiO2的硅氧烷聚合物組合物,例如US8,318,885B、JP3995173B、US7,393,469A、US7,582,358B和US20110262750A。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供具有足夠高RI的硅倍半氧烷改性的TiO2溶膠,用于在ITO電極上使用絕緣層,以及形成TiO2溶膠的方法。
本發(fā)明的一個(gè)方面涉及一種組合物,其包含具有中心部分和至少部分圍繞所述中心部分的外部部分的顆粒,其中所述中心部分包含氧化鈦,并且所述外部部分包含具有硫醇基的硅倍半氧烷。
另一方面,本發(fā)明涉及形成所述組合物的方法,其包含以下步驟:(a)冷凝包含鈦前體的組合物以形成包含氧化鈦的顆粒,和(b)使顆粒與具有硫醇基的烷氧基硅烷接觸。
在另一方面,本發(fā)明涉及由以下步驟獲得的反應(yīng)產(chǎn)物:(a)使鈦醇鹽與酸接觸以形成氧化鈦顆粒,和(b)使氧化鈦顆粒與具有硫醇基的烷氧基硅烷接觸。
在另一方面,本發(fā)明涉及包含所述顆粒的有機(jī)膜。在物體上形成薄膜。
在另一方面,本發(fā)明涉及可輻射固化組合物,其包含(a)所述顆粒和(b)具有烯鍵式不飽和基的化合物和由所述可輻射固化組合物形成的材料。
附圖說明
圖1是實(shí)例1中獲得的TiO2顆粒的動(dòng)態(tài)光散射(DLS)曲線。
圖2是實(shí)例2中獲得的TiO2顆粒的DLS曲線。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的TiO2溶膠包含具有中心部分和外部部分的顆粒。所述中心部分包含TiO2。本發(fā)明的TiO2是具有-Ti-O-Ti-鍵結(jié)構(gòu)的三維聚合物。中心部分由包含鈦前體的化合物的水解和縮合反應(yīng)形成。鈦前體的實(shí)例包括但不限于四烷基鈦,如四異丙基鈦、四丁氧基鈦、四乙氧基鈦和四甲氧基鈦。除了氧化鈦之外,中心部分可以包含其他金屬氧化物,如氧化鋯或氧化鉿。
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