[發(fā)明專利]包括薄膜鈍化層的印刷頭

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680084601.2
• 申請(qǐng)日: 2016-07-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109153255A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳之章;M·沙拉維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠普發(fā)展公司;有限責(zé)任合伙企業(yè)
• 主分類號(hào): B41J2/01
• 分類號(hào): B41J2/01;B41J2/05
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬蔚鈞;楊思捷

1.印刷頭，包括：

薄膜鈍化層，其中所述薄膜鈍化層是原子層沉積薄膜層；

粘附層；和

射流層。

2.權(quán)利要求1的印刷頭，其中所述薄膜鈍化層包含至少一種選自氧化鉿(HfO₂)、二氧化鋯(ZrO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氮化鉿硅(HfSi₃N₄)、氧化硅(SiO₂)和氮化硅(Si₃N₄)的材料。

3.權(quán)利要求1的印刷頭，進(jìn)一步包括氮化硅層。

4.權(quán)利要求1的印刷頭，其中所述薄膜鈍化層具有大約至大約的厚度。

5.權(quán)利要求4的印刷頭，其中所述薄膜鈍化層具有大約至大約的厚度。

6.權(quán)利要求1的印刷頭，其中所述粘附層包含碳化硅(SiC)。

7.權(quán)利要求1的印刷頭，其中所述粘附層具有大約至大約的厚度。

8.權(quán)利要求7的印刷頭，其中所述粘附層具有大約至大約的厚度。

9.權(quán)利要求1的印刷頭，其中所述射流層包含基于環(huán)氧化物的負(fù)性光致抗蝕劑。

10.形成印刷頭的方法，包括：

將氮化硅層沉積到電阻層上；

將薄膜鈍化層沉積到所述氮化硅層上；

將粘附層沉積到所述薄膜鈍化層上；和

在所述粘附層上形成射流層。

11.權(quán)利要求10的方法，其中使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來(lái)沉積所述粘附層。

12.權(quán)利要求10的方法，其中使用選自等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積和等離子體增強(qiáng)原子層沉積的沉積方法來(lái)沉積所述氮化硅層。

13.權(quán)利要求10的方法，其中所述粘附層減少了所述薄膜鈍化層與所述射流層之間的脫層。

14.權(quán)利要求10的方法，其中所述薄膜鈍化層提高了包括所述薄膜鈍化層的印刷頭的能量效率。

15.權(quán)利要求10的方法，其中沉積的粘附層、沉積的薄膜鈍化層和沉積的氮化硅具有大約的總厚度。

16.噴墨印刷系統(tǒng)，包括：

印刷引擎，其包括流體供應(yīng)裝置，所述流體供應(yīng)裝置包括印刷頭，其中所述印刷頭包括

薄膜鈍化層，其中所述薄膜鈍化層是原子層沉積薄膜層；

粘附層；和

射流層。

17.權(quán)利要求16的噴墨印刷系統(tǒng)，其中所述薄膜鈍化層包含至少一種選自氧化鉿(HfO₂)、二氧化鋯(ZrO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氮化鉿硅(HfSi₃N₄)、氧化硅(SiO₂)和氮化硅(Si₃N₄)的材料。

18.權(quán)利要求16的噴墨印刷系統(tǒng)，其中所述薄膜鈍化層具有大約至大約的厚度。

19.權(quán)利要求16的噴墨印刷系統(tǒng)，其中所述粘附層包含厚度為大約至大約的碳化硅(SiC)。

20.權(quán)利要求16的噴墨印刷系統(tǒng)，其中所述印刷頭進(jìn)一步包括氮化硅層。