[發明專利]磁傳感器

有效

• 申請號: 201680083885.3
• 申請日: 2016-10-20
• 公開（公告）號: CN108780130B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 田邊圭
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09;G01R33/02;H01L43/08
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;尹明花

1.一種磁傳感器，其特征在于，

具備：

第一～第四端子；

第一磁阻效應元件，其電連接于所述第一及第二端子間，沿第一方向延伸；

第一磁性體，其電連接于所述第三及第四端子間，沿著所述第一磁阻效應元件在所述第一方向上延伸；以及，

反饋電路，該反饋電路基于所述第一或第二端子上出現的電位，在所述第三端子和所述第四端子之間流動反饋電流，

所述第一磁阻效應元件相對于與所述第一方向交叉的第二方向上的所述第一磁性體的中心位置偏移地配置。

2.根據權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，

從與所述第一及第二方向交叉的第三方向觀察時，所述第一磁阻效應元件配置于不與所述第一磁性體重疊的位置。

3.根據權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，

所述第一磁性體的所述第一方向上的長度等于或大于所述第一磁阻效應元件的所述第一方向上的長度。

4.根據權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，

還具備：

第五端子；

第二磁阻效應元件，其電連接于所述第二及第五端子間，沿規定的方向延伸；以及

第二磁性體，其電連接于所述第三及第四端子間，沿著所述第二磁阻效應元件在所述規定的方向上延伸，

所述第二磁阻效應元件相對于與所述規定的方向交叉的方向上的所述第二磁性體的中心位置偏移地配置。

5.根據權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，

所述第一磁阻效應元件形成于傳感器芯片的第一配線層，所述第一磁性體形成于所述傳感器芯片的與所述第一配線層不同的第二配線層。

6.根據權利要求5所述的磁傳感器，其特征在于，

所述第一磁性體為由固定于所述第二配線層的磁性材料構成的塊體。

7.根據權利要求5所述的磁傳感器，其特征在于，

所述第一磁性體為由形成于所述第二配線層的磁性材料構成的薄膜。

8.根據權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，

所述第一磁性體由軟磁性材料構成。

9.一種磁傳感器，其特征在于，

具備：

磁阻效應元件；

磁性體，其匯集應檢測的磁通，并向與所述磁阻效應元件的磁化固定方向平行的方向引導所述磁通；以及

反饋電路，其根據所述磁阻效應元件的電阻值而在所述磁性體流動反饋電流。