[發(fā)明專利]分布反饋型半導(dǎo)體激光器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680083224.0
• 申請日: 2016-09-01
• 公開（公告）號: CN108701963B
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齋藤真司;角野努;山根統(tǒng);津村明
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01S5/12
• 分類號: H01S5/12;H01S5/343
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙

1.一種分布反饋型半導(dǎo)體激光器，其中，

具備半導(dǎo)體層疊體和第一電極；

上述半導(dǎo)體層疊體包括：

第一層；

有源層，設(shè)置在上述第一層之上，能夠通過子帶間光躍遷而射出激光；以及

第二層，設(shè)置在上述有源層之上；

上述半導(dǎo)體層疊體具有包括平坦部和槽部的第一面，上述平坦部包含上述第二層的表面，上述槽部從上述表面到達(dá)上述第一層且相互分離，上述平坦部具有沿上述有源層的中心軸延伸的第一區(qū)域和以與上述中心軸正交的方式延伸的第二區(qū)域，上述槽部在上述第一區(qū)域的外側(cè)構(gòu)成沿著上述中心軸具有規(guī)定間距的衍射光柵；

上述第一電極設(shè)置在上述第一區(qū)域，

在與上述中心軸正交且通過上述槽部的截面形成有脊波導(dǎo)，上述脊波導(dǎo)具有上述半導(dǎo)體層疊體中的、上述第一區(qū)域下方的上述第二層的部分、上述第一區(qū)域下方的上述有源層的部分以及上述第一區(qū)域下方的上述第一層的部分，

在與上述中心軸正交且通過上述第二區(qū)域的截面中，在上述有源層中由上述第二區(qū)域夾著的發(fā)光區(qū)域中不形成上述脊波導(dǎo)，并且上述發(fā)光區(qū)域中產(chǎn)生的熱向橫向以及下方釋放。

2.如權(quán)利要求1所述的分布反饋型半導(dǎo)體激光器，其中，

上述槽部分別被設(shè)置為相對于上述第一電極的中心軸左右對稱。

3.如權(quán)利要求1所述的分布反饋型半導(dǎo)體激光器，其中，

上述激光的波長是2μm以上且100μm以下。

4.如權(quán)利要求2所述的分布反饋型半導(dǎo)體激光器，其中，

上述激光的波長是2μm以上且100μm以下。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的分布反饋型半導(dǎo)體激光器，其中，

上述激光從上述半導(dǎo)體層疊體的側(cè)面中的與上述中心軸正交的側(cè)面射出。

6.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的分布反饋型半導(dǎo)體激光器，其中，

沿著上述中心軸的中央部的上述第二區(qū)域的間距構(gòu)成2階的衍射光柵；

沿著上述中心軸且設(shè)置在上述中央部的兩側(cè)的端部的上述第二區(qū)域的間距構(gòu)成1階的衍射光柵；

在上述第一電極，在與上述中央部鄰接的區(qū)域設(shè)有開口部；

上述激光從在上述開口部露出的上述第一區(qū)域向大致垂直方向射出。