[發(fā)明專利]吸收芯和形成吸收芯的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680083200.5 | 申請日： | 2016-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN108712896B | 公開（公告）日： | 2019-12-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | M·B·文圖里諾;J·J·西娜 | 申請（專利權(quán)）人： | 金伯利-克拉克環(huán)球有限公司 |
| 主分類號： | A61F13/15 | 分類號： | A61F13/15;A61F13/535 |
| 代理公司： | 11280 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 郭廣迅<國際申請>=PCT/US2016 |
| 地址： | 美國威*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 吸收芯區(qū)域 遮蔽 前芯 多孔成形 顆粒材料 吸收芯 后芯 沉積 跨過 成形表面 上移動 施加 阻擋 制造 | ||
1.一種形成無漿吸收芯的方法，其包括：
在縱向上移動多孔成形表面，所述多孔成形表面具有未被遮蔽部分和遮蔽部分，并且其中所述未被遮蔽部分限定所述多孔成形表面的吸收芯區(qū)域；
在向所述多孔成形表面施加真空的同時通過顆粒材料入口且在所述多孔成形表面上在所述吸收芯區(qū)域中以小于1200米/分鐘的速度沉積顆粒材料；
其中所述吸收芯區(qū)域包括：
跨過所述吸收芯區(qū)域的第一半的前芯部區(qū)域；以及
跨過所述吸收芯區(qū)域的第二半的后芯部區(qū)域；
其中所述前芯部區(qū)域在所述縱向上落后于所述后芯部區(qū)域；并且
其中所述多孔成形表面的所述遮蔽部分阻擋通過所述多孔成形表面的氣流，以使大于60％的沉積在所述吸收芯區(qū)域中的所述顆粒材料位于所述前芯部區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前芯部區(qū)域的平均基重介于所述后芯部區(qū)域的平均基重的110％與170％之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前芯部區(qū)域的平均基重介于所述后芯部區(qū)域的平均基重的125％與150％之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多孔成形表面的所述遮蔽部分阻擋通過所述多孔成形表面的氣流，以使大于70％的沉積在所述吸收芯區(qū)域中的所述顆粒材料位于所述前芯部區(qū)域中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在向所述多孔成形表面施加真空的同時通過顆粒材料入口且在所述多孔成形表面上在所述吸收芯區(qū)域中以小于1200米/分鐘的速度沉積顆粒材料包括：在向所述多孔成形表面施加真空的同時通過第一顆粒材料入口且在所述多孔成形表面上在所述吸收芯區(qū)域中以小于1200米/分鐘的速度沉積第一數(shù)量的顆粒材料，并且還包括：
在向所述多孔成形表面施加真空的同時通過第二顆粒材料入口且在所述多孔成形表面上在所述吸收芯區(qū)域中以小于1200米/分鐘的速度沉積第二數(shù)量的顆粒材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前芯部區(qū)域的平均基重介于200gsm與800gsm之間，并且其中所述后芯部區(qū)域的平均基重介于100gsm與600gsm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過所述顆粒材料入口在所述多孔成形表面上在所述吸收芯區(qū)域中以小于900米/分鐘的速度沉積顆粒吸收材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過所述顆粒材料入口在所述多孔成形表面上在所述吸收芯區(qū)域中以小于600米/分鐘的速度沉積顆粒吸收材料。
9.一種形成無漿吸收芯的方法，其包括：
在縱向上移動多孔成形表面，所述多孔成形表面具有未被遮蔽部分和遮蔽部分，并且其中所述未被遮蔽部分限定所述多孔成形表面的吸收芯區(qū)域；
在向所述多孔成形表面施加真空的同時通過顆粒材料入口且在所述多孔成形表面上在所述吸收芯區(qū)域中以小于1200米/分鐘的速度沉積顆粒材料；
其中所述吸收芯區(qū)域包括：
跨過所述吸收芯區(qū)域的前三分之一的前芯部區(qū)域；
跨過所述吸收芯區(qū)域的后三分之一的后芯部區(qū)域；以及
設(shè)置在所述前芯部區(qū)域與所述后芯部區(qū)域之間且跨過所述吸收芯區(qū)域的中間三分之一的襠部區(qū)域；
其中所述前芯部區(qū)域在所述縱向上落后于所述后芯部區(qū)域；并且
其中所述多孔成形表面的所述遮蔽部分阻擋通過所述多孔成形表面的氣流，以使大于40％的沉積在所述吸收芯區(qū)域中的所述顆粒材料位于所述前芯部區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述成形表面的所述遮蔽部分包括靠近所述襠部區(qū)域的遮蔽部分，其中所述前芯部區(qū)域具有最大橫向?qū)挾龋⑶移渲锌拷鲆d部區(qū)域的所述遮蔽部分從所述吸收芯區(qū)域的邊緣向內(nèi)延伸所述最大橫向?qū)挾鹊?0％與40％之間。
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