[發明專利]用于去除襯底上的光敏材料的方法

在審

• 申請號: 201680082291.0
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN108700815A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: C·W·J·貝倫德森;G·納吉布奧格魯;D·D·J·A·范索姆恩;G·里斯朋斯;J·F·M·貝克爾斯;T·J·A·倫克斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王靜

1.一種處理襯底的方法，包括：

提供襯底，所述襯底在所述襯底的表面上具有光敏材料層；和

從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料并控制所述去除以在襯底的表面上遺留的光敏材料層周圍產生具有徑向寬度的邊緣，其中，所述光敏材料的厚度變化，形成了橫跨所述徑向寬度的厚度輪廓，并且所述去除被控制以產生所述厚度輪廓沿著所述邊緣的長度的變化。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述邊緣是粗糙邊緣。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述邊緣是帶圖案的邊緣。

4.一種處理襯底的方法，包括：

提供襯底，所述襯底在所述襯底的表面上具有光敏材料層；和

從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料并控制所述去除，以在襯底的表面上遺留的光敏材料層的周圍產生粗糙邊緣。

5.根據權利要求2或4所述的方法，其中，從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料包括使用噴嘴圍繞光敏材料層的外邊緣在所述光敏材料層上噴射流體，并且當噴射所述流體時振蕩所述噴嘴和/或襯底以產生所述粗糙邊緣。

6.根據權利要求2或4所述的方法，其中，所述去除包括用于從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料的初始去除步驟；并且還包括噴射來自噴嘴的流體以從遺留的光敏材料層周圍去除另外的光敏材料，以產生所述粗糙邊緣。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中，從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除所述光敏材料包括引導來自激光器的輻射以入射到所述光敏材料層的外邊緣周圍的光敏材料上。

8.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中，所述去除包括用于從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料的初始去除步驟；并且還包括引導來自激光器的輻射以入射到所述光敏材料上，以從遺留的光敏材料層周圍去除另外的光敏材料，從而產生所述邊緣或所述粗糙邊緣。

9.根據權利要求7或8所述的方法，還包括對光敏材料上的入射輻射進行振蕩從而產生所述邊緣或所述粗糙邊緣，和/或對來自激光器的輻射束進行脈沖化，并且入射到所述光敏材料上的脈沖化的輻射被相對于所述光敏材料移動，從而產生所述邊緣或所述粗糙邊緣。

10.根據權利要求7-9中任一項所述的方法，還包括提供圖案形成裝置，并引導所述輻射從圖案形成裝置反射或透過圖案形成裝置，以產生所述邊緣。

11.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中，從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除所述光敏材料包括將所述光敏材料層的外邊緣周圍的所述光敏材料暴露至等離子體。

12.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中，所述去除包括用于從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料的初始去除步驟；并且還包括將所述光敏材料暴露至等離子體，以從遺留的光敏材料層周圍去除另外的光敏材料，從而產生所述邊緣或所述粗糙邊緣。

13.根據權利要求1-12中任一項所述的方法，還包括旋轉所述襯底以在所述襯底的邊緣處具有如下的圓周速度，所述圓周速度小于或等于約12m/s，優選地小于或等于10m/s，或更優選地小于或等于8m/s。

14.一種處理襯底的設備，包括：

襯底支撐系統，配置成支撐襯底，所述襯底包括在襯底的表面上的光敏材料層；和

襯底邊緣處理單元，配置成從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料，其中，所述襯底邊緣處理單元配置成控制所述去除，以在所述襯底的表面上遺留的光敏材料層周圍產生具有徑向寬度的邊緣，其中所述光敏材料的厚度變化，形成橫跨所述徑向寬度的厚度輪廓，且所述襯底邊緣處理單元配置成控制所述去除，從而控制所述厚度輪廓沿著所述邊緣的長度的變化。

15.一種處理襯底的設備，包括：

襯底支撐系統，配置成支撐襯底，所述襯底包括在襯底的表面上的光敏材料層；和

襯底邊緣處理單元，配置成從所述光敏材料層的外邊緣周圍去除光敏材料，其中所述襯底邊緣處理單元配置成控制所述去除，以在襯底的表面上遺留的光敏材料層的周圍產生粗糙邊緣。