[發明專利]蒸鍍掩模、蒸鍍掩模的制造方法及有機EL顯示設備的制造方法

有效

• 申請號: 201680081301.9
• 申請日: 2016-07-27
• 公開（公告）號: CN108699670B
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 崎尾進;岸本克彥
• 申請（專利權）人: 鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;薛曉偉

1.一種蒸鍍掩模，其包括樹脂膜，所述樹脂膜具有在蒸鍍基板上通過蒸鍍用以成膜形成薄膜圖案的開口部圖案，其特征在于，

輻射率比上述樹脂膜小的低輻射率膜形成在所述樹脂膜相對蒸鍍源的面的至少一部分，

在與所述蒸鍍基板抵接的所述樹脂膜的面上，形成輻射率比所述樹脂膜的面的輻射率大的高輻射率膜。

2.如權利要求1所述的蒸鍍掩模，其特征在于，在所述樹脂膜與所述低輻射率膜及/或所述高輻射率膜之間，包括密合層，所述密合層使所述樹脂膜與所述低輻射率膜及/或上述高輻射率膜間的密合性提高。

3.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其特征在于，所述低輻射率膜在22℃以上60℃以下、波長區8700nm以上9800nm以下的輻射率是0.3以下。

4.如權利要求3所述的蒸鍍掩模，其特征在于，所述低輻射率膜是具有以Al、Ni、Cr、Mo、Cu或Ti形成大致鏡面的膜。

5.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其特征在于，所述高輻射率膜在22℃以上60℃以下、波長區8700nm以上9800nm以下的輻射率以0.5以上的材料構成。

6.如權利要求5所述的蒸鍍掩模，其特征在于，所述高輻射率膜以Al₂O₃、AlTiN、CrO₂、Cr₂O₃、MoO₂、MoO₃、SiC或石墨形成，表面粗糙度是均方根高度0.1μm以上3.0μm以下。

7.如權利要求1或2所述的蒸鍍掩模，其特征在于，所述樹脂膜在設置所述低輻射率膜側的所述樹脂膜的面的一部分包括金屬支撐層。

8.一種蒸鍍掩模的制造方法，蒸鍍掩模是包含具有開口部圖案的樹脂膜，用以蒸鍍蒸鍍材料的掩模，并且與蒸鍍源相對側的面的至少一部分具有比上述樹脂膜輻射率小的低輻射率膜，其特征在于，

擴展所述樹脂膜固定至支撐框架后，進行所述低輻射率膜的形成，

將樹脂膜固定至所述支撐框架后，所述低輻射率膜形成前或所述低輻射率膜形成后，所述樹脂膜與所述蒸鍍源相對側相反的一側的面上形成高輻射率膜，輻射率比設置所述低輻射率膜時的所述面的輻射率大。

9.如權利要求8所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，將所述樹脂膜固定至所述支撐框架前，所述樹脂膜的所述低輻射率膜形成側的面上密合金屬支撐層。

10.如權利要求8所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，所述低輻射率膜及/或所述高輻射率膜形成前，根據從濺鍍法及離子鍍法中選擇的至少一種方法形成密合層，所述密合層使所述樹脂膜與所述低輻射率膜及/或所述高輻射率膜間的密合性提高。

11.如權利要求8至10中任一項所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，所述低輻射率膜的形成是根據從濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法、亮光電鍍法及涂布法中選擇的至少一方法執行。

12.如權利要求8或10所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，所述高輻射率膜的形成是根據從濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD法、冷噴涂法、電鍍法及涂布法中的至少一方法執行。

13.一種有機EL顯示設備的制造方法，所述有機EL顯示設備是在裝置基板上層疊有機層制造有機EL顯示設備，其特征在于，包括：

在支撐基板上至少形成TFT及第一電極的所述裝置基板上，位置對準而重疊如權利要求1至7中任一項所述的蒸鍍掩模的步驟；

在所述第一電極上蒸鍍有機材料，而形成有機層的層疊膜的步驟；以及

在所述層疊膜上形成第二電極的步驟。