[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201680081227.0
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN108780808B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 田邊廣光
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 呂文卓

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具有：

半導體基板(10)，具有第1主面(10a)以及作為上述第1主面的背面的第2主面(10b)；

第1導電型的第1區域(14)，形成在上述第1主面的表層；

第2導電型的漂移區域(12)，鄰接于上述第1區域而形成在上述第1區域與上述第2主面之間；

第2導電型的電荷蓄積區域(13)，是上述漂移區域的一部分，與上述漂移區域相比雜質濃度較高；

溝槽柵極(15)，具有從上述第1主面在上述半導體基板的深度方向上延伸且將上述第1區域及上述電荷蓄積區域貫通而形成的溝槽(16)、和在上述溝槽的內部隔著絕緣膜(17)而形成的柵極電極(18)；以及

第2導電型的第2區域(19)，被上述第1區域包圍而形成，與上述溝槽柵極接觸并且在上述第1主面露出；

上述溝槽柵極具有上述柵極電極上被施加柵極電壓的主溝槽(15a)、和上述柵極電極上被施加與上述主溝槽不同的電壓的偽溝槽(15b)；

上述主溝槽和上述偽溝槽將上述電荷蓄積區域夾入，上述偽溝槽與上述電荷蓄積區域的接觸面積S1大于上述主溝槽與上述電荷蓄積區域的接觸面積S2，以使得由上述第1區域、上述漂移區域和上述電荷蓄積區域形成的MOS晶體管的溝道寬度變大。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述偽溝槽與上述電荷蓄積區域的接觸面積S1、和上述主溝槽與上述電荷蓄積區域的接觸面積S2的面積比S1/S2滿足S1/S2≧2的關系。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述偽溝槽的上述柵極電極的電位被設為與上述第2區域相等的電位。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在正面觀察上述第1主面時，上述主溝槽沿規定的延伸設置方向延伸設置；

上述偽溝槽包括與上述延伸設置方向正交的方向成分而在上述延伸設置方向上延伸。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

在正面觀察上述第1主面時，上述偽溝槽包括在與上述主溝槽的延伸設置方向正交的方向上具有多個折返的蜿蜒形狀。

6.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

在正面觀察上述第1主面時，上述偽溝槽具有沿著上述主溝槽的延伸設置方向的主干部、和從上述主干部延伸而包括與上述延伸設置方向正交的成分而形成的枝部。

7.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

在正面觀察上述第1主面時，上述偽溝槽中，與沿著上述主溝槽的延伸設置方向的部分的沿面距離相比，包括與上述延伸設置方向正交的方向成分的部分的沿面距離較長。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述主溝槽中的上述溝槽的深度比上述偽溝槽中的上述溝槽的深度淺。

9.如權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述主溝槽中，與上述漂移區域接觸的上述絕緣膜的至少一部分中，上述絕緣膜的膜厚比上述偽溝槽中的上述絕緣膜的膜厚厚。