[發明專利]形成封閉構件的方法

有效

• 申請號: 201680080260.1
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN108602107B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: L·維亞萊;M·焦萬尼尼;A·波齊
• 申請（專利權）人: 刮拉瓶蓋股份公司
• 主分類號: B21D26/14
• 分類號: B21D26/14;B21D51/44
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種形成封閉構件(1)的方法，所述方法包括以下步驟：

-設置具有外支撐面(11)的支撐構件(10)，

-設置包括由導電材料制成的第一構件(30)的構件(20)，所述第一構件(30)包括第一管狀套筒(32)，所述第一管狀套筒(32)在第一頂端(33’)與第一底端(33)之間沿著縱向(X-X)延伸，

-將所述構件(20)定位于所述支撐構件(10)，

-對所述構件(20)施加磁場以使所述第一管狀套筒(32)的至少一部分圍繞所述支撐構件(10)變形以形成封閉構件(1)，

-將形成的所述封閉構件(1)從所述支撐構件(10)移除，用于隨后將形成的所述封閉構件(1)裝配于容器的頸部或封閉件主體，

所述支撐構件(10)包括陽元件(12)和位于所述陽元件(12)內的桿(13)，所述陽元件(12)包括在周向上間隔配置的多個腿部(15)，所述腿部(15)以相對于配置于所述陽元件(12)中的所述桿(13)可徑向移動的方式配置，所述桿(13)能夠縱向移動，以允許所述腿部(15)徑向向內移動。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：

-在所述第一管狀套筒(32)與所述外支撐面(11)之間限定有第一環狀間隙(G1)，

-所述第一管狀套筒(32)的至少一部分直接抵靠所述支撐構件(10)變形，使得所述第一管狀套筒(32)的變形部分的形狀形成為所述支撐構件(10)的外支撐面(11)的形狀。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

-所述構件(20)包括由電絕緣材料制成并配置于所述第一構件(30)內的第二構件(40)，

-所述第二構件(40)包括第二頂壁(41)和從所述第二頂壁(41)延伸至第二底端(43)的第二管狀套筒(42)，

-在所述第一管狀套筒(32)與所述第二管狀套筒(42)之間限定有第二環狀間隙(G2)，

-所述第一管狀套筒(32)的至少一部分直接抵靠至少所述第二管狀套筒(42)變形。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：

-所述第一管狀套筒(32)的至少一部分直接抵靠所述第二管狀套筒(42)和所述支撐構件(10)變形。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

-在所述第一管狀套筒(32)的周部(37)中，周向間隔開的第一部分(37a)和與所述第一部分(37a)相鄰的周向間隔開的第二部分(37b)被限定成使得所述第一部分(37a)與所述第二部分(37b)在周向上以交替排列的方式配置，

-第三部分(37c)被限定為與所述第一部分(37a)縱向相鄰的部分，

-當施加磁場時，所述第一部分(37a)變形成使得所述第一部分(37a)與所述第三部分(37c)分離并且所述第二部分(37b)未變形，

-所述第二部分(37b)形成使所述第一管狀套筒(32)的上部(38a)與所述第一管狀套筒(32)的下部(38b)連接的易斷部分，

-所述易斷部分(37b)被構造成在沿著所述縱向(X-X)將所述上部(38a)從所述下部(38b)移離時斷裂。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

-施加磁場之前在所述構件(20)與所述支撐構件(10)之間產生真空。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：

-所述真空是0.2bar和0.8bar之間的低真空。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

-所述第一構件(30)由厚度在0.2mm和0.3mm之間的片材制成。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

-所述第一構件(30)包括第一頂壁(31)，

-所述第一管狀套筒(32)在所述第一頂壁(31)與所述第一底端(33)之間沿著所述縱向(X-X)延伸。