[發明專利]阻氣膜及阻氣膜的制造方法在審
| 申請號： | 201680080135.0 | 申請日： | 2016-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN108602314A | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 中山亞矢 | 申請（專利權）人： | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號： | B32B9/00 | 分類號： | B32B9/00;C23C14/10;C23C16/42;H01L51/50;H05B33/04;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 曹陽 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 阻氣膜 有機層 二氧化硅層 硅化合物 二氧化硅 共價鍵 硅原子 膜基材 碳原子 氧原子 真空紫外線照射 制造 高溫高濕環境 高阻隔性 涂布液 | ||
1.一種阻氣膜，其依次包括：
膜基材；
第1有機層；及
二氧化硅層，
所述二氧化硅層含有在硅原子與氧原子之間至少具有共價鍵的二氧化硅高分子，
所述第1有機層的碳原子濃度為50％以上。
2.根據權利要求1所述的阻氣膜，其中，
所述第1有機層與所述二氧化硅層直接接觸。
3.根據權利要求1或2所述的阻氣膜，其還包括無機層，
所述第1有機層與所述無機層直接接觸。
4.根據權利要求1或2所述的阻氣膜，其還包括無機層，
依次包括所述膜基材、所述第1有機層、所述二氧化硅層及所述無機層。
5.根據權利要求3或4所述的阻氣膜，其中，
所述無機層為蒸鍍層。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的阻氣膜，其中，
所述第1有機層的原子數比為O/C＝0.050～1.0且Si/C＝0.00～0.10。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的阻氣膜，其中，
所述第1有機層的膜厚為0.5～10μm。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的阻氣膜，其中，
所述二氧化硅層的膜厚為50～1000nm。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的阻氣膜，其中，
所述二氧化硅層的原子數比為Si:O:N＝1:0.1～1.2:0.5～1.5。
10.根據權利要求1或2所述的阻氣膜，其還包括無機層及第2有機層，
依次包括所述膜基材、所述第1有機層、所述二氧化硅層、所述無機層及所述第2有機層，并且所述第2有機層的碳原子濃度為50％以上。
11.一種阻氣膜的制造方法，其包括：
在膜基材上形成碳原子濃度為50％以上的有機層的工序；
將含有硅化合物的涂布液涂布到所述有機層上以形成含有硅化合物的涂層的工序；及
用真空紫外線照射含有所述硅化合物的涂層以形成含有在硅原子與氧原子之間至少具有共價鍵的二氧化硅高分子的二氧化硅層的工序。
12.根據權利要求11所述的阻氣膜的制造方法，其中，
形成所述涂層的工序是將涂布液涂布到所述有機層的表面的工序，
該方法還包括通過蒸鍍法或濺射法在所述二氧化硅層的表面形成無機層的工序。
13.根據權利要求11所述的阻氣膜的制造方法，其還包括：
通過蒸鍍法或濺射法在所述有機層的表面形成無機層的工序，
形成所述涂層的工序是將涂布液涂布到所述無機層的表面的工序。
14.根據權利要求12或13所述的阻氣膜的制造方法，其中，
所述無機層通過化學氣相沉積法形成。
15.根據權利要求11至14中任一項所述的阻氣膜的制造方法，其中，
所述硅化合物是全氫聚硅氮烷。
16.根據權利要求11至15中任一項所述的阻氣膜的制造方法，其中，
所述有機層的原子數比為O/C＝0.050～1.0且Si/C＝0～0.1。
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