[發明專利]高導電性的石墨烯-金屬復合材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201680079500.6
• 申請日: 2016-11-07
• 公開（公告）號: CN108770354B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: J·J·法夸爾;謝春明
• 申請（專利權）人: 財富國際私人有限公司;J·J·法夸爾
• 主分類號: H01G11/36
• 分類號: H01G11/36;B82Y30/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;陳英俊

1.用于生產石墨烯-金屬復合材料的方法，包括：

通過化學氣相沉積法將石墨烯沉積到多孔金屬泡沫襯底上；以及

對沉積有石墨烯的多孔金屬泡沫襯底進行壓縮，以形成石墨烯-金屬復合材料，

其中，在所述多孔金屬泡沫襯底上沉積所述石墨烯之后，將金屬閃鍍或電鍍到所述石墨烯上，

其中，在所述多孔金屬泡沫襯底上沉積多層石墨烯層，所述金屬設置于所述多層石墨烯層之間。

2.權利要求1所述的方法，其中所述多孔金屬泡沫襯底為泡沫鎳或泡沫銅。

3.權利要求1所述的方法，其中所述多孔金屬泡沫襯底的孔隙率不低于70％。

4.權利要求1所述的方法，其中所述石墨烯由錫烯取代，以形成錫烯-金屬復合材料。

5.權利要求1所述的方法，其中在將石墨烯沉積到多孔金屬泡沫襯底上的步驟中，在多孔金屬泡沫襯底表面形成碳納米管，然后再對其上形成有碳納米管的多孔金屬泡沫襯底進行壓縮。

6.權利要求1所述的方法，其中在將石墨烯沉積至多孔金屬泡沫襯底的步驟中，在多孔金屬泡沫襯底的空隙內形成碳納米管，然后再對空隙中形成有碳納米管的多孔金屬泡沫襯底進行壓縮。

7.權利要求1所述的方法，其中覆蓋有石墨烯的多孔金屬泡沫襯底將被壓縮以去除當中大部分空隙，并使其比未被壓縮的多孔金屬泡沫襯底更纖薄。

8.權利要求1所述的方法，另外包括將石墨烯-金屬復合材料以壓鑄或注塑方式制成框架。

9.權利要求1所述的方法，另外包括將所述石墨烯-金屬復合材料以輥壓方法與構件相結合。

10.權利要求1所述的方法，另外包括將至少一層石墨烯-金屬復合材料通過輥壓方式與至少一層覆蓋有石墨烯的銅箔相結合。

11.一種石墨烯-金屬復合材料，包括：

多孔金屬泡沫襯底；以及

通過化學氣相沉積法沉積到多孔金屬泡沫襯底上的石墨烯層，

其中，對多孔金屬泡沫襯底和石墨烯層進行壓縮并形成石墨烯-金屬復合材料，

其中，在所述多孔金屬泡沫襯底上沉積所述石墨烯層之后，將金屬閃鍍或電鍍到所述石墨烯上，

其中，在所述多孔金屬泡沫襯底上沉積有多層石墨烯層，所述金屬設置于所述多層石墨烯層之間。

12.權利要求11所述的石墨烯-金屬復合材料，其中所述多孔金屬泡沫襯底為泡沫鎳或泡沫銅。

13.權利要求11所述的石墨烯-金屬復合材料，其中所述多孔金屬泡沫襯底的孔隙率不低于70％。

14.權利要求11所述的石墨烯-金屬復合材料，其中覆蓋有石墨烯的多孔金屬泡沫襯底將被壓縮以去除當中大部分空隙，并使其比未被壓縮的多孔金屬泡沫襯底更纖薄。

15.一種錫烯-金屬復合材料，包括：

多孔金屬泡沫襯底；

通過化學氣相沉積法沉積到多孔金屬泡沫襯底上的錫烯層；

施加到錫烯層表面的金屬層；以及

沉積到金屬層上的另一層錫烯，

其中，對具有多層結構的多孔金屬泡沫襯底進行壓縮，以形成錫烯-金屬復合材料。