[發明專利]包括犧牲鈍化涂層的等離子體納米結構體

在審

• 申請號: 201680079405.6
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN108496071A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 陳之章;陳健華;J·E·小艾伯特
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬蔚鈞;楊思捷

1.設備，包括：

殼體；

在殼體上形成的流體通道，其中所述流體通道連接至入口和出口；和

位于所述流體通道內部的基底，其中所述基底包括：

等離子體納米結構體；和

至少沉積在所述等離子體納米結構體上的犧牲保形鈍化涂層。

2.權利要求1的設備，其中所述設備包括芯片實驗室拉曼光譜系統。

3.權利要求2的設備，其中所述基底是表面增強拉曼光譜基底。

4.權利要求1的設備，其中所述等離子體納米結構體包括：

聚合物指狀物的二維陣列；和

在聚合物指狀物的陣列中的各指狀物上形成的金屬帽。

5.權利要求1的設備，其中所述保形鈍化涂層包含基于氧化鋅的材料層。

6.權利要求1的設備，其中所述保形鈍化涂層包含基于二氧化鈦的材料層。

7.權利要求1的設備，其中所述保形鈍化涂層包含基于氧化鋁的材料層。

8.設備，包括：

基底；

在所述基底上形成的等離子體納米結構體；和

在所述等離子體納米結構體上沉積的犧牲保形鈍化涂層。

9.方法，包括：

在基底的等離子體納米結構體上沉積犧牲保形鈍化涂層；和

將所述基底定位在系統的流體通道內部，所述系統包括流體通道、連接至所述流體通道的入口和連接至所述流體通道的出口，其中在沉積所述犧牲保形鈍化涂層后進行所述定位。

10.權利要求9的方法，其中所述系統包括芯片實驗室拉曼光譜系統，并且其中所述基底是表面增強拉曼光譜基底。

11.權利要求9的方法，其中所述等離子體納米結構體包括：

聚合物指狀物的二維陣列；和

在聚合物指狀物的陣列中的各指狀物上形成的金屬帽。

12.權利要求9的方法，其中所述沉積使用原子層沉積法來進行。

13.權利要求9的方法，其中所述保形鈍化涂層包含基于氧化鋅的材料層。

14.權利要求9的方法，其中所述保形鈍化涂層包含基于二氧化鈦的材料層。

15.權利要求9的方法，其中所述保形鈍化涂層包含基于氧化鋁的材料層。