[發明專利]轉換器裝置有效
| 申請號： | 201680079235.1 | 申請日： | 2016-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN108702089B | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 沓木知宏;酒井顯;鈴木大介;一木智;田中章斗 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H02M3/155 | 分類號： | H02M3/155;H02H7/125;H02M7/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 轉換器 裝置 | ||
1.一種轉換器裝置，將從交流電源供給的交流電力變換為直流電力并輸出到負載，所述轉換器裝置的特征在于，具備：
整流電路，將所述交流電源作為輸入來進行全波整流；
升壓電路，使所述整流電路的輸出電壓升壓；
平滑電容器，使所述升壓電路的輸出電壓平滑并輸出到所述負載；以及
控制部，控制所述升壓電路，
所述升壓電路具備多個升壓部，該多個升壓部分別具有電抗器、開關元件以及反向阻斷二極管，
所述控制部比較使所述多個升壓部中的至少1個所述開關元件導通一定時間時流過的母線電流的檢測值和故障判定用的閾值來判定所述升壓部的故障的有無，
當在m個并聯連接的所述多個升壓部之中檢測到n個發生了故障的升壓部的情況下，允許功率因數改善動作，但將所述負載的上升限制至所述負載的額定的(m-n)/m倍，
其中，所述m以及所述n分別是1以上的整數，所述n≤所述m。
2.根據權利要求1所述的轉換器裝置，其特征在于，
所述轉換器裝置代替所述反向阻斷二極管而使用作為金屬氧化膜半導體場效應型晶體管的MOSFET，
所述控制部進行在使所述開關元件導通的期間使所述MOSFET截止、在使所述開關元件截止的期間使所述MOSFET導通的同步整流。
3.一種轉換器裝置，將從交流電源供給的交流電力變換為直流電力并輸出到負載，所述轉換器裝置的特征在于，具備：
整流電路，將所述交流電源作為輸入來進行全波整流；
升壓電路，使所述整流電路的輸出電壓升壓；
平滑電容器，使所述升壓電路的輸出電壓平滑并輸出到所述負載；
控制部，控制所述升壓電路；以及
相位檢測部，檢測所述交流電源的電壓的相位，
所述升壓電路具備多個升壓部，該多個升壓部分別具有電抗器、開關元件以及反向阻斷二極管，
所述控制部在所述交流電源的電壓的相位達到一定值時使所述開關元件導通并判定所述升壓部的故障的有無。
4.根據權利要求3所述的轉換器裝置，其特征在于，
所述轉換器裝置代替所述反向阻斷二極管而使用作為金屬氧化膜半導體場效應型晶體管的MOSFET，
所述控制部進行在使所述開關元件導通的期間使所述MOSFET截止、在使所述開關元件截止的期間使所述MOSFET導通的同步整流。
5.一種轉換器裝置，將從交流電源供給的交流電力變換為直流電力并輸出到負載，所述轉換器裝置的特征在于，具備：
整流電路，將所述交流電源作為輸入來進行全波整流；
升壓電路，使所述整流電路的輸出電壓升壓；
平滑電容器，使所述升壓電路的輸出電壓平滑并輸出到所述負載；
控制部，控制所述升壓電路；以及
電源電壓檢測器，檢測所述交流電源的電壓的瞬時值，
所述升壓電路具備多個升壓部，該多個升壓部分別具有電抗器、開關元件以及反向阻斷二極管，
所述控制部在所述交流電源的電壓的瞬時值達到一定值時使所述開關元件導通并判定所述升壓部的故障的有無。
6.根據權利要求5所述的轉換器裝置，其特征在于，
所述轉換器裝置代替所述反向阻斷二極管而使用作為金屬氧化膜半導體場效應型晶體管的MOSFET，
所述控制部進行在使所述開關元件導通的期間使所述MOSFET截止、在使所述開關元件截止的期間使所述MOSFET導通的同步整流。
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