[發明專利]用于制造多層MEMS構件的方法和相應的多層MEMS構件

有效

• 申請號: 201680078844.5
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN108463431B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: O·布賴特舍德爾;A·克爾布爾;C·齊爾克;P·B·施塔費爾德;H·阿爾特曼
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 侯鳴慧

1.用于制造多層MEMS構件的方法，所述方法具有以下步驟：提供多層襯底（1、2、3；1a、2、3），該多層襯底具有單晶載體層（1；1a）、帶有正面（V）和背面（R）的單晶功能層（3）和位于背面（R）與載體層（1）之間的鍵合層（2）；在所述單晶功能層（3）的所述正面（V）上生長第一多晶層（4；4a；4b）；去除所述單晶載體層（1；1a）；并且在所述單晶功能層（3）的所述背面（R）上生長第二多晶層（40；40a；40b）。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在去除所述單晶載體層（1）之后去除所述鍵合層（2）并且使所述第二多晶層（40）在所述單晶功能層（3）的所述背面（R）上生長。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，使所述第二多晶層（40a）至少部分地在所述鍵合層（2）上生長。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，使所述第一多晶層（4）在所述單晶功能層（3）的所述正面（V）上生長。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，在所述正面（V）上形成絕緣層（20）并且使所述第一多晶層（4a）在所述絕緣層（20）上生長。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，將所述單晶功能層（3）結構化為多個功能區域（3a-3d），在所述功能區域之間形成通向所述鍵合層（2）的通孔（K1-K3），其中，在所述功能區域（3a-3d）上并且在所述通孔（K1-K3）中形成絕緣層（20a），并且其中，在所述絕緣層（20a）中形成另一通孔（K4）以在所述正面（V）上露出功能區域（3c）。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一多晶層（4b）在所述絕緣層（20a）上沉積，并且在相同步驟中在所述第一多晶層（4b）內部在露出的所述功能區域（3c）上形成單晶區域（30）作為電的正面接觸區域。

8.根據權利要求3所述的方法，其中，在去除所述單晶載體層（1）以后這樣結構化鍵合層（2），使得在所述背面（R）上露出功能區域（3c），并且所述第二多晶層（40b）在所述鍵合層（20）上沉積，并且在相同步驟中在所述第二多晶層（40b）內部在露出的所述功能區域（3c）上形成單晶區域（31）作為電的背面接觸區域。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，在所述單晶載體層（1a）中形成注入損傷區域（1000），并且所述單晶載體層（1a）在去除時在所述注入損傷區域（1000）中裂開。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述多層襯底（1、2、3；1a、2、3）是SOI襯底（100）。

11.多層MEMS構件，具有：在單晶功能層（3）的正面（V）上的第一多晶層（4；4a；4b）；和在單晶功能層（3）的背面（R）上的第二多晶層（40；40a；40b），其中，鍵合層（2）結構化，使得在所述背面（R）上露出功能區域（3c），并且所述第二多晶層（40b）在所述鍵合層（20）上形成，并且在所述第二多晶層（40b）內部在露出的所述功能區域（3c）上形成單晶區域（31）作為電的背面接觸區域。

12.多層MEMS構件，具有：在單晶功能層（3）的正面（V）上的第一多晶層（4；4a；4b）；和在單晶功能層（3）的背面（R）上的第二多晶層（40；40a；40b），其中，單晶功能層（3）結構化為多個功能區域（3a-3d），在所述功能區域之間形成通向鍵合層（2）的通孔（K1-K3），其中，絕緣層（20a）在所述功能區域（3a-3d）上并且在所述通孔（K1-K3）中形成，其中，另一通孔（K4）在所述絕緣層（20a）中形成以在所述正面（V）上露出功能區域（3c）。