[發明專利]用于制造在薄膜基底上的流量傳感器的方法以及這種流量傳感器

在審

• 申請號: 201680075414.8
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN108431555A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: D.格羅斯;F.尤特默倫
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: G01F1/684
• 分類號: G01F1/684;G01F1/692
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 梁冰;李雪瑩

1.用于制造在薄膜基底上的流量傳感器（1）的方法，所述流量傳感器具有第一加熱和溫度測量元件（10）以及至少一個第二加熱和溫度測量元件（11），其中，所述加熱和溫度測量元件（10、11）在空間上彼此分離，并且其中，存在載體結構（21），構造所述載體結構以用于容納所述加熱和溫度測量元件（10、11），其中，所述用于制造的方法至少具有以下步驟：

- 提供襯底（100），

- 在所述襯底（100）上沉積第一光刻膠（12），

- 在所述第一光刻膠（12）上沉積第二光刻膠（13），

- 打開所述第一光刻膠（12）和所述第二光刻膠（13）以制造連接金屬化，

- 沉積金屬（14）以形成所述加熱和溫度測量元件（10、11），

- 結構化所沉積的金屬（14），

- 沉積第三光刻膠（15），以及

- 通過至少一個犧牲性涂層蝕刻來移除所述第一光刻膠（12）。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，作為襯底（100）提供CMOS-ASIC晶片、玻璃晶片或者聚合物膜。

3.根據權利要求1或者2所述的方法，其特征在于，沉積光刻膠作為第二光刻膠（13），所述第二光刻膠相對于所述第一光刻膠（12）的所述犧牲性涂層蝕刻具有化學抗性。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，沉積光刻膠作為第三光刻膠（15），所述第三光刻膠相對于所述第一光刻膠（12）的所述犧牲性涂層蝕刻具有化學抗性。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，離心涂布或者噴霧出所述光刻膠（12、13、15）中的至少一個。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，借助光刻工藝來結構化所述光刻膠（12、13、15）中的至少一個。

7.在薄膜基底上的流量傳感器（1），具有第一加熱和溫度測量元件（10）以及至少一個第二加熱和溫度測量元件（11），并且其中，所述加熱和溫度測量元件（10、11）在空間上彼此分離，并且其中，存在載體結構（21），構造所述載體結構以用于容納所述加熱和溫度測量元件（10、11），并且其中，在襯底（100）上構建帶有所述加熱和溫度測量元件（10、11）的所述載體結構（21），

其特征在于，所述載體結構（21）具有至少一個光刻膠（12），并且，具有朝向所述襯底（100）的自由空間（16）以形成釋放部。

8.根據權利要求7所述的流量傳感器（1），其特征在于，所述載體結構（21）具有在所述溫度測量元件（10、11）之間的自由空間（16），所述自由空間通過所述第一光刻膠（12）的犧牲性涂層蝕刻而產生。

9.根據權利要求7或者8所述的流量傳感器（1），其特征在于，所述載體結構（21）具有連接臂（17），所述連接臂用于接觸所述加熱和溫度測量元件（10、11）。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的流量傳感器（1），其特征在于，在所述兩個加熱和溫度測量元件（10、11）之間的載體結構（21）具有結構化部（18）。