[發(fā)明專利]SiC外延晶片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680074244.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108369901B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武藤大祐;宮坂晶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/205
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/205;C23C16/42;C30B29/36;H01L21/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 劉航;段承恩

1.一種SiC外延晶片的制造方法，是在SiC單晶基板上具有外延層的SiC外延晶片的制造方法，

在使所述外延層結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)，具有：

在開(kāi)始結(jié)晶生長(zhǎng)的初期在第1條件下形成外延層的一部分的工序；和

在與所述第1條件相比使Cl/Si比減少、并且使C/Si比增加了的第2條件下形成SiC外延層的一部分的工序，

在所述第1條件下，一同使用氯代硅烷和氯化氫HCl作為Cl元素的供給源，所述氯代硅烷為SiH_4－nCl_n，其中，n＝0～4，

在所述第1條件下，C/Si比為0.4～0.6、Cl/Si比為5.0～8.0，

在所述第2條件下，C/Si比為0.95～1.1、Cl/Si比為2～3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC外延晶片的制造方法，

在使所述外延層結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)，進(jìn)行從所述第1條件向所述第2條件來(lái)使C/Si比緩慢減少、并且使Cl/Si比緩慢增加的緩變工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiC外延晶片的制造方法，

所述外延層從所述SiC單晶基板側(cè)起依次具有緩沖層和漂移層，

在使所述緩沖層生長(zhǎng)時(shí)進(jìn)行所述緩變工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiC外延晶片的制造方法，

所述緩變工序所需要的時(shí)間是形成所述緩沖層所需要的時(shí)間的1/5以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiC外延晶片的制造方法，

在所述緩變工序中結(jié)晶生長(zhǎng)的外延層的層厚為0.1μm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiC外延晶片的制造方法，

所述緩變工序在所述外延層生長(zhǎng)開(kāi)始的同時(shí)開(kāi)始。