[發明專利]獲得具有提高的周期的包含嵌段共聚物的厚有序膜的方法在審
| 申請號： | 201680073926.0 | 申請日： | 2016-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN108369373A | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發明（設計）人： | C.納瓦羅;C.尼科萊;X.舍瓦利耶 | 申請（專利權）人： | 阿科瑪法國公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;C08L53/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 詹承斌 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 嵌段共聚物 基底 嵌段 臨界尺寸均勻性 關鍵結構 納米尺度 動力學 結構化 聚合度 取向 沉積 平行 垂直 | ||
1.使得可獲得在表面上具有大于20nm的厚度且具有大于10nm的周期的包含二嵌段共聚物的組合物的有序膜的方法，且包括以下步驟：
–將包含嵌段共聚物的組合物在溶劑中混合，一旦溶劑已被蒸發掉，該組合物即在結構化溫度下呈現出在10.5和40之間的χ有效*N的乘積，
–將該混合物沉積在表面上，
–在嵌段共聚物的最高Tg和它們的分解溫度之間的溫度下使沉積在表面上的混合物固化，使得在溶劑蒸發后組合物可使自身結構化。
2.根據權利要求1所述的方法，其中組合物包含二嵌段共聚物。
3.根據權利要求2所述的方法，其中二嵌段共聚物具有結構A-嵌段-(B-共-C)，其中嵌段A由單一單體A組成，嵌段B-共-C自身由兩種單體B和C組成，C可為A。
4.根據權利要求3所述的方法，其中A和C為苯乙烯，且B為甲基丙烯酸甲酯。
5.根據權利要求1所述的方法，其中嵌段共聚物以陰離子方式合成。
6.根據權利要求1所述的方法，其中嵌段共聚物通過受控自由基聚合制備。
7.根據權利要求6所述的方法，其中嵌段共聚物通過氮氧化物介導的自由基聚合制備。
8.根據權利要求7所述的方法，其中嵌段共聚物通過N-叔丁基-1-二乙基膦?；?2,2-二甲基丙基氮氧化物介導的自由基聚合制備。
9.根據權利要求1-8中的一項所述的方法，其中有序膜的取向垂直于表面。
10.根據權利要求1-9中的一項所述的方法獲得的有序膜，其可特別地用作平版印刷領域中的掩模。
11.由根據權利要求10所述的有序膜獲得的掩模。
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