[發明專利]用于在鋁上沉積鈦基保護涂層的方法

有效

• 申請號: 201680073796.0
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN108368632B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: J·博維爾;C·羅森克蘭茨;J·P·戈爾丁
• 申請（專利權）人: 漢高股份有限及兩合公司
• 主分類號: C25D9/06
• 分類號: C25D9/06;C25D11/02;F02F3/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 于輝

1.用于在含鋁的金屬材料上沉積保護涂層的方法，所述方法包括以下步驟：在所述金屬材料與包含至少一種水溶性的鈦化合物的含水電解液接觸時施加多個陽極電流程序通過所述金屬材料，其中每一陽極電流程序的平均峰值陽極電流密度為至少15A/dm²，并且其中相繼施加的陽極電流程序之間的平均時間間隔不超過10毫秒。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述相繼施加的陽極電流程序之間的平均時間間隔大于0.6毫秒。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述相繼施加的陽極電流程序之間的平均時間間隔大于2毫秒。

4.如權利要求2所述的方法，其中陽極電流程序的平均持續時間與相繼施加的陽極電流程序之間的平均時間間隔的比例以百分比計不超過以下項：

相繼施加的陽極電流程序之間的平均時間間隔[秒]。

5.如權利要求2-4中任一項所述的方法，其中陽極電流程序的平均持續時間與相繼施加的陽極電流程序之間的平均時間間隔的比例以百分比計至少為以下項：

相繼施加的陽極電流程序之間的平均時間間隔[秒]。

6.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述平均峰值陽極電流密度為至少20A/dm²。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述平均峰值陽極電流密度為至少25A/dm²。

8.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中在所有相繼的陽極電流程序的至少20％之間，向所述金屬材料施加陰極電流程序。

9.如權利要求8所述的方法，其中在所有相繼的陽極電流程序的至少80％之間，向所述金屬材料施加陰極電流程序。

10.如權利要求8所述的方法，其中每一陰極電流程序的平均峰值陰極電流密度不超過每一陽極電流程序施加的平均陽極峰值電流密度的50％。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述每一陰極電流程序的平均峰值陰極電流密度不超過每一陽極電流程序施加的平均陽極峰值電流密度的30％。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述每一陰極電流程序的平均峰值陰極電流密度至少為每一陽極電流程序施加的平均陽極峰值電流密度的10％。

13.如權利要求8所述的方法，其中陰極電流程序的持續時間的比例為陽極電流程序之間的總過渡時間的至少20％。

14.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中施加多個陽極電流程序的步驟持續的時間有效地形成具有大于15微米的層厚度的保護涂層。

15.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述電解液是酸性的。

16.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述電解液還包含元素磷的含氧酸。

17.根據權利要求1-16中任一項所述的方法獲得的經涂覆的含鋁的金屬物品，其中包含元素鈦和鋁的氧化物和氫氧化物的涂層具有至少15微米的厚度以及在20℃的溫度和15mN的負荷下至少800維氏棱錐數(HV)的橫截面硬度，所述涂層還包含元素磷，而且所述涂層包含至少25原子％的元素鈦和至少16原子％的元素鋁。

18.如權利要求17所述的物品，其通過權利要求14所述的方法獲得。