[發明專利]具有至少一個溫度換能器的陶瓷壓力測量單元和具有此類壓力測量單元的壓力傳感器

有效

• 申請號: 201680073501.X
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN108369148B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 安德烈亞斯·羅斯貝格;尼爾斯·波納特;讓·施萊費爾伯克;托馬斯·尤林
• 申請（專利權）人: 恩德萊斯和豪瑟爾歐洲兩合公司
• 主分類號: G01L9/00
• 分類號: G01L9/00;G01L19/02;G01L19/04;G01K7/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 穆森;戚傳江

1.一種壓力測量單元(1)，包括：

陶瓷對置主體(3)；

陶瓷測量膜片(2)，所述陶瓷測量膜片(2)經由圓周接合部(4)以壓力密封的方式接合至所述對置主體(3)，在所述對置主體(3)與所述測量膜片(2)之間形成測量腔室，其中所述測量膜片能夠通過將被測量的壓力而變形；

電轉換器，所述電轉換器用于將所述測量膜片的依賴于壓力的變形轉換成電信號；

以及溫度換能器，所述溫度換能器用于提供取決于所述壓力測量單元的溫度梯度的至少一個電信號，其中，所述溫度換能器包括至少一個第一熱電偶，所述至少一個第一熱電偶具有在包括第一導電材料的第一導體(14)與包括至少第二導電材料的、與所述第一導體接觸的第二導體(18)之間的電流接觸，

其中所述溫度換能器還具有至少第二熱電偶，所述第二熱電偶具有所述第一導體與包括至少第三導電材料的、與所述第一導體接觸的第三導體之間的電流接觸，其中所述第一熱電偶和所述第二熱電偶串聯連接。

2.根據權利要求1所述的壓力測量單元，其中所述對置主體具有第一材料厚度(hg)，其中所述第一熱電偶的所述電流接觸與所述膜片的表面中的面向所述對置主體的一個表面分開不超過所述第一材料厚度的25％，和/或

其中所述接合部(4)具有第二材料厚度(hf)，其中所述第一熱電偶的所述電流接觸與所述膜片的表面中的面向所述對置主體的一個表面分開不超過所述接合部的第二材料厚度的十倍。

3.根據權利要求2所述的壓力測量單元，其中所述第一熱電偶的所述電流接觸與所述膜片的表面中的面向所述對置主體的一個表面分開不超過所述第一材料厚度的10％。

4.根據權利要求2所述的壓力測量單元，其中所述第一熱電偶的所述電流接觸與所述膜片的表面中的面向所述對置主體的一個表面分開不超過所述第一材料厚度的5％。

5.根據權利要求2所述的壓力測量單元，其中所述第一熱電偶的所述電流接觸與所述膜片的表面中的面向所述對置主體的一個表面分開不超過所述接合部的第二材料厚度的四倍。

6.根據權利要求2所述的壓力測量單元，其中所述第一熱電偶的所述電流接觸與所述膜片的表面中的面向所述對置主體的一個表面分開不超過所述接合部的第二材料厚度的兩倍。

7.根據權利要求2所述的壓力測量單元，其中所述第一熱電偶的所述電流接觸與所述膜片的表面中的面向所述對置主體的一個表面分開不超過所述接合部的第二材料厚度。

8.根據權利要求1所述的壓力測量單元，其中所述第一導電材料選自包括以下材料的清單：金屬、金屬合金、金屬硫族化物、金屬氧化物、Si化合物。

9.根據權利要求1所述的壓力測量單元，其中所述第一導電材料是亞化學計量的金屬氧化物。

10.根據權利要求1所述的壓力測量單元，其中所述第一導電材料選自包括以下材料的清單：CuNi、NiV、Ti、TiW、TiBN(N2)、TiTiN(N2)、ZrNiTi、Ta/TaO、PtCu、Ta/TaO、TiOx、PbTe(SrTe)4Na2、Bi2Te3-Sb2Te3、Cu(2-x)Se、SrTiO3、SiGe。

11.根據權利要求1所述的壓力測量單元，其中所述第一導電材料具有相對于Pt的塞貝克系數，所述塞貝克系數的量級達到不小于2μV/K。

12.根據權利要求11所述的壓力測量單元，其中所述第一導電材料具有相對于Pt的塞貝克系數，所述塞貝克系數的量級達到不小于4μV/K。

13.根據權利要求11所述的壓力測量單元，其中所述第一導電材料具有相對于Pt的塞貝克系數，所述塞貝克系數的量級達到不超過8μV/K。