[發明專利]半導體裝置用接合線

有效

• 申請號: 201680073281.0
• 申請日: 2016-06-24
• 公開（公告）號: CN108369914B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 小山田哲哉;宇野智裕;小田大造;山田隆
• 申請（專利權）人: 日鐵化學材料株式會社;日鐵新材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;C22C9/00;C22C9/04;C22C9/06
• 代理公司: 北京天達共和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11586
• 代理人: 薛侖;張平

1.一種半導體裝置用接合線，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆層、以及被形成在上述Pd被覆層的表面的Cu表面層，其特征在于，

含有Ni，Ni相對于線整體的濃度為0.1～1.2wt.％，

對于上述Cu合金芯材與上述Pd被覆層的交界，將Pd濃度小于70at.％的區域定義為上述Cu合金芯材，并將Pd濃度為70at.％以上的區域定義為上述Pd被覆層，

對于上述Pd被覆層與上述Cu表面層的交界，將Cu濃度小于3at.％的區域定義為上述Pd被覆層，并將Cu濃度為3at.％以上的區域定義為上述Cu表面層，

在此情況下，上述Pd被覆層的厚度為0.015～0.150μm，上述Cu表面層的厚度為0.0005～0.0070μm，上述Cu表面層的Cu濃度為3at.％以上且小于50at.％。

2.一種半導體裝置用接合線，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆層、被形成在上述Pd被覆層的表面的含有Au和Pd的合金被覆層、以及被形成在上述合金被覆層的表面的Cu表面層，其特征在于，

含有Ni，Ni相對于線整體的濃度為0.1～1.2wt％，

對于上述Cu合金芯材與上述Pd被覆層的交界，將Pd濃度小于70at.％的區域定義為上述Cu合金芯材，并將Pd濃度為70at.％以上的區域定義為上述Pd被覆層，

對于上述Pd被覆層與上述合金被覆層的交界，將Au濃度小于10at.％的區域定義為上述Pd被覆層，并將Au濃度為10at.％以上且Pd濃度為60at.％以上的區域定義為上述合金被覆層，

對于上述合金被覆層與上述Cu表面層的交界，將Cu濃度小于3at.％的區域定義為上述合金被覆層，并將Cu濃度為3at.％以上的區域定義為上述Cu表面層，

在此情況下，上述Pd被覆層的厚度為0.015～0.150μm，上述合金被覆層的厚度為0.0005～0.0500μm，上述Cu表面層的厚度為0.0005～0.0070μm，上述Cu表面層的Cu濃度為3at.％以上且小于50at.％。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

上述Cu合金芯材還含有從Zn、In、Pt及Pd中選擇的至少1種以上的元素，上述元素的濃度為0.05～0.50wt.％。

4.如權利要求1或2所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

還含有從B、P、Mg、及Sn中選擇的至少1種以上的元素，上述元素相對于線整體的濃度為1～110wt.ppm。

5.如權利要求1或2所述的半導體裝置用接合線，其特征在于，

還含有從Ga、Ge中選擇的至少1種以上的元素，上述元素相對于線整體的濃度為0.02～1.2wt.％。