[發(fā)明專利]氣體傳感器以及氣體傳感系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680072136.0
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN108369200B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沖野徹;廣瀨裕;加藤剛久;沖明男
• 申請（專利權(quán)）人: 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 安香子

1.一種氣體傳感器，具備：

單元陣列，具有被設(shè)置為矩陣狀的多個單元；

讀出電路，讀出來自所述多個單元的信號；

信號處理部，對被讀出的所述信號進行處理；以及

第一控制電路，

所述多個單元的每一個單元具有：

氣體分子檢測部，在鄰接的單元之間，所述氣體分子檢測部電分離；以及

放大器電路，與所述氣體分子檢測部電連接，

所述單元陣列具有至少包含一個單元的第一區(qū)域、以及包含其他單元的第二區(qū)域，

所述第一控制電路，針對所述第一區(qū)域中的單元的所述氣體分子檢測部與所述第二區(qū)域中的單元的所述氣體分子檢測部，賦予不同的極性的電位。

2.如權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，

所述多個單元的每一個單元，具備：

電荷蓄積區(qū)域，與所述氣體分子檢測部電連接；以及

復(fù)位晶體管，對所述電荷蓄積區(qū)域進行復(fù)位，

所述放大器電路是放大晶體管，對所述電荷蓄積區(qū)域中蓄積的電荷進行放大。

3.如權(quán)利要求2所述的氣體傳感器，

所述氣體分子檢測部，被設(shè)置在所述電荷蓄積區(qū)域的上方，并且由導(dǎo)電性的接觸插塞與所述電荷蓄積區(qū)域連接。

4.如權(quán)利要求2所述的氣體傳感器，

所述氣體傳感器還具備開關(guān)，使所述氣體分子檢測部與所述電荷蓄積區(qū)域電連接、或者電分離。

5.如權(quán)利要求4所述的氣體傳感器，

所述開關(guān)是傳輸晶體管，

所述氣體分子檢測部，被設(shè)置在所述電荷蓄積區(qū)域的上方，并且由導(dǎo)電性的接觸插塞與所述傳輸晶體管的擴散區(qū)域連接。

6.如權(quán)利要求2至5的任一項所述的氣體傳感器，

所述第一控制電路，按照所述單元陣列的每個列，控制所述復(fù)位晶體管的電源電位。

7.如權(quán)利要求6所述的氣體傳感器，

所述第一控制電路，針對所述單元陣列中鄰接的每個列的所述氣體分子檢測部，賦予不同的極性的電位。

8.如權(quán)利要求2至5的任一項所述的氣體傳感器，

所述第一控制電路，按照所述單元陣列的每個單元，控制所述復(fù)位晶體管的電源電位。

9.如權(quán)利要求8所述的氣體傳感器，

所述第一控制電路，針對所述單元陣列中鄰接的每個單元的所述氣體分子檢測部，賦予不同的極性的電位。

10.如權(quán)利要求2所述的氣體傳感器，

所述氣體傳感器還具備反饋放大器電路，向所述復(fù)位晶體管的漏極端子，提供與所述放大晶體管的輸出信號對應(yīng)的反饋信號。

11.如權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，

所述氣體傳感器還具備：

第一電極，被設(shè)置在所述氣體分子檢測部的上方；以及

第二控制電路，控制所述第一電極的電位，

所述氣體分子檢測部與所述第一電極之間是空的。

12.如權(quán)利要求11所述的氣體傳感器，

所述氣體傳感器還具備第二電極，

所述第二電極被設(shè)置在所述氣體分子檢測部的上方，并且在平面視時圍著所述第一電極，并且與所述第一電極電分離。

13.如權(quán)利要求12所述的氣體傳感器，

所述第一電極的電位的極性，與所述第二電極的電位的極性不同。

14.如權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，

所述氣體傳感器還具備吸附部件，所述吸附部件被設(shè)置在鄰接的所述氣體分子檢測部之間，

在所述吸附部件的表面的帶電的電荷的極性，與所述氣體分子檢測部的極性不同。