[發明專利]使用靜電夾盤夾持及解夾持基板的方法及裝置

在審

• 申請號: 201680072132.2
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN108369921A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: Z·J·葉;塙廣二;J·C·羅查－阿爾瓦雷斯;P·曼納;M·W·蔣;A·高;王文佼;林永景;P·K·庫爾施拉希薩;韓新海;金柏涵;K·D·李;K·T·納拉辛哈;段子青;D·帕德希
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H05H1/46;H01J49/10;H01L21/687
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種基板支撐組件，包含：

實質上碟形的陶瓷主體，所述陶瓷主體具有上表面、圓柱側壁以及下表面，所述上表面經配置以在真空處理腔室中在所述上表面上支撐基板，所述圓柱側壁界定所述陶瓷主體的外直徑，所述下表面與所述上表面相對地設置；

電極，所述電極設置于所述陶瓷主體中；以及

主電路，所述主電路電連接至所述電極并經配置以向所述電極提供夾緊電壓，所述主電路包含：

DC夾緊電路；

第一RF驅動電路；以及

第二RF驅動電路，其中所述DC夾緊電路、所述第一RF驅動電路以及所述第二RF驅動電路一起與所述電極電耦合。

2.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述主電路進一步包含：

第三RF負載電路。

3.如權利要求1所述的基板支撐組件，其中所述第一RF驅動電路包含：

高通濾波器；以及

RF驅動器。

4.如權利要求3所述的基板支撐組件，其中所述第二RF驅動電路可操作為以約2MHz提供RF功率，且所述第一RF驅動電路可操作為以約13.56MHz提供RF功率。

5.一種處理腔室，包含：

主體，所述主體具有圍繞內部體積的壁與蓋；以及

基板支撐組件，所述基板支撐組件在所述內部體積中設置在所述蓋上，所述基板支撐組件包含：

實質上碟形的陶瓷主體，所述陶瓷主體具有上表面、圓柱側壁以及下表面，所述上表面經配置以在真空處理腔室中在所述上表面上支撐基板，所述圓柱側壁界定所述陶瓷主體的外直徑，所述下表面與所述上表面相對地設置；

底部電極，所述底部電極設置于所述陶瓷主體中；以及

主電路，所述主電路電連接至所述底部電極，所述電路包含：

DC夾緊電路；

第一RF驅動電路；以及

第二RF驅動電路，其中所述DC夾緊電路、所述第一RF驅動電路以及所述第二RF驅動電路一起與所述電極電耦合。

6.如權利要求5所述的處理腔室，其中所述頂部電極與所述底部電極形成電容耦合的等離子體產生器。

7.如權利要求6所述的處理腔室，所述處理腔室進一步包含：

用于驅動所述頂部電極的第一頂部電路。

8.如權利要求7所述的處理腔室，所述處理腔室進一步包含：

用于驅動所述頂部電極的第二頂部電路。

9.如權利要求8所述的處理腔室，其中所述第二頂部電路可操作為以約400KHz將RF功率提供至所述頂部電極，且所述第一頂部電路可操作為以約27MHz將RF功率提供至所述頂部電極。

10.如權利要求5所述的處理腔室，其中所述第二RF驅動電路可操作為以約2MHz提供RF功率，且所述第一RF驅動電路可操作為以約13.56MHz提供RF功率。

11.如權利要求10所述的處理腔室，其中所述主電路進一步包含：

第三RF負載電路。

12.如權利要求5所述的處理腔室，其中所述第一RF驅動電路包含：

高通濾波器；以及

RF驅動器。

13.一種用于構建ESC的方法，所述方法包含：

在ESC的材料塊內插入金屬電極，其中所述金屬電極具有與所述ESC的基板支撐表面相當的尺寸，且所述金屬電極實質上平行于所述基板支撐表面；以及

經由電路將所述金屬電極連接至DC電源供應器，所述DC電源供應器在所述電極處提供電荷，其中來自所述電極的電荷經由所述材料轉移至所述ESC的所述基板支撐表面，且其中所述電路為閉環電路系統，所述閉環電路系統經配置以將夾緊電壓與電荷供應至所述金屬電極。