[發明專利]電壓可調多層電容器有效

申請號：	201680071996.2	申請日：	2016-12-07
公開（公告）號：	CN108369866B	公開（公告）日：	2021-07-27
發明（設計）人：	A.P.里特;C.W.尼斯;R.范阿爾斯泰恩	申請（專利權）人：	阿維科斯公司
主分類號：	H01G7/02	分類號：	H01G7/02;H01G4/30
代理公司：	北京市柳沈律師事務所 11105	代理人：	邱軍
地址：	美國南卡***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	電壓可調多層電容器
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【說明書】：

提供可調的多層電容器。電容器包括與第一有源端子電接觸的第一有源電極以及與第二有源端子電接觸的交替的第二有源電極。電容器還包括與第一DC偏置端子電接觸的第一DC偏置電極以及與第二DC偏置端子電接觸的交替的第二DC偏置電極。多個電介質層設置在交替的第一有源電極與第二有源電極之間以及交替的第一偏置電極與第二偏置電極之間。電介質層的至少一部分含有電介質材料，該電介質材料一經施加所施加電壓，就呈現出可變的介電常數。

相關申請的交叉引用

本申請要求美國專利申請第15/368,991號、美國臨時專利申請第62/264,491號(2015年12月8日提交)和第62/371,520號(2016年8月5日提交)的優先權，其全部內容為全部目的通過引用并入本文。

背景技術

可調電容器已經用于依賴于電介質的可變電介質特性的各種應用中。對于這種電容器，零偏壓下的電容通常接近其最大值，并且電容隨所施加的電壓而下降。電容的變化使得這些單元可用于在濾波器、匹配網絡、諧振電路和從音頻到RF和微波頻率的其它應用中創建可調電路。盡管它們有益處，但是部分由于可以實現的相對較低的電容，因此這種電容器的使用相對受到限制。如此，目前需要一種具有提高的性質的電壓可調電容器，其可用于更廣泛的可能應用中。

發明內容

根據本發明的一個實施例，公開了一種可調多層電容器，其包括與第一有源端子電接觸的第一有源電極以及與第二有源端子電接觸的交替的第二有源電極。電容器還包括與第一DC偏置端子電接觸的第一DC偏置電極以及與第二DC偏置端子電接觸的交替的第二DC偏置電極。多個電介質層設置在交替的第一有源電極和第二有源電極之間以及交替的第一偏置電極和第二偏置電極之間。電介質層的至少一部分含有可調的電介質材料，其一經施加所施加的電壓，就呈現出可變的介電常數。

以下更詳細地闡述本發明的其它特征和方面。

附圖說明

參考了附圖，在說明書的其余部分中更具體地闡述了針對本領域普通技術人員的包含其最佳模式的本發明的完整且可實現的公開內容，附圖中：

圖1用圖表示出了在標準化的偏置電壓變化的范圍內使用本公開的主題可實現的電容變化；

圖2A、圖2B和圖2C分別示出了根據當前公開的主題的四端子偏置多層電容器的示例性實施例的截面圖、分解平面圖和分解透視圖；

圖2D示出了根據圖2A至圖2C的示例性實施例的組裝裝置的大體側視圖、俯視圖和端視圖；

圖2E和圖2F分別示出了圖2A至圖2D的示例性實施例的分流(shunt)配置和串聯配置代表圖；

圖3A、圖3B和圖3C分別示出了根據當前公開的主題的四端子可調級聯配置的多層電容器的示例性實施例的截面圖、分解平面圖和分解透視圖；

圖3D和圖3E分別示出了圖3A至圖3C的示例性實施例的分流配置和串聯配置代表圖；

圖4A和圖4B分別示出了根據當前公開的主題的四端子可調部分偏置配置的多層電容器的示例性實施例的截面圖和分解平面圖；

圖4C示出了圖4A和圖4B的示例性實施例的代表圖；

圖5表示根據本公開主題的芯片制造自動化過程(CMAP)示例性實施例，其可用于制造如在此(herewith)公開的裝置的示例性實施例；