[發(fā)明專利]非水電解質(zhì)蓄電元件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201680071907.4
• 申請日: 2016-12-08
• 公開（公告）號: CN108475769A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 菊池彰文
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社杰士湯淺國際
• 主分類號: H01M4/13
• 分類號: H01M4/13;H01M4/62
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

1.一種非水電解質(zhì)蓄電元件，具備具有包含正極活性物質(zhì)、磷原子和鋁原子的正極復(fù)合材料的正極，

在由X射線光電子能譜法得到的所述正極復(fù)合材料的能譜中，P2p的峰位置為134.7eV以下，Al2p與P2p的峰高比Al2p/P2p為0.1以上。

2.一種非水電解質(zhì)蓄電元件，具備具有包含正極活性物質(zhì)、磷原子和鋁原子的正極復(fù)合材料的正極，

在由X射線光電子能譜法得到的所述正極復(fù)合材料的能譜中，P2p的峰位置為134.3eV～134.7eV。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非水電解質(zhì)蓄電元件，其中，在所述正極復(fù)合材料的能譜中，Al2p與P2p的峰高比Al2p/P2p為0.1以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的非水電解質(zhì)蓄電元件，其中，所述正極活性物質(zhì)包含金屬氧化物，

在所述正極復(fù)合材料的能譜中，Al2p與O1s的峰高比Al2p/O1s為0.1以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的非水電解質(zhì)蓄電元件，其中，所述正極活性物質(zhì)包含金屬氧化物，

在所述正極復(fù)合材料的能譜中，Al2p與O1s的峰高比Al2p/O1s為0.01以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的非水電解質(zhì)蓄電元件，其中，在所述正極復(fù)合材料的能譜中，Al2p與P2p的峰高比Al2p/P2p為1.0以下。

7.一種權(quán)利要求1～6中任一項所述的非水電解質(zhì)蓄電元件的制造方法，具有將正極活性物質(zhì)、磷的含氧酸或經(jīng)氟化的磷的含氧酸鹽和鋁偶聯(lián)劑混合而制作正極復(fù)合材料糊的工序。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非水電解質(zhì)蓄電元件的制造方法，其中，相對于所述正極活性物質(zhì)100質(zhì)量份的所述鋁偶聯(lián)劑的混合量為0.4質(zhì)量份以上。

9.一種非水電解質(zhì)蓄電元件的制造方法，具有將正極活性物質(zhì)、二氟磷酸鋰和下述通式(1)表示的化合物混合而制作正極糊料的工序，

通式(1)中，R¹～R³各自獨立地為碳原子數(shù)1～9的烴基或下述通式(2)表示的基團，

通式(2)中，R⁴和R⁵各自獨立地為碳原子數(shù)1～18的烷基或碳原子數(shù)1～18的烷氧基。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非水電解質(zhì)蓄電元件的制造方法，其中，所述二氟磷酸鋰的混合量相對于所述正極活性物質(zhì)100質(zhì)量份為0.3質(zhì)量份～1質(zhì)量份，所述通式(1)表示的化合物的混合量相對于所述正極活性物質(zhì)100質(zhì)量份為0.3質(zhì)量份～1質(zhì)量份。