[發明專利]三維存儲器設備及其使用方法

在審

• 申請號: 201680071347.2
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號: CN108369989A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: F·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設備，其包括：

電極平面；

存儲器材料，其經安置穿過且耦合到所述電極平面；

存儲器單元，其包含于所述存儲器材料中而在與所述電極平面相同的平面中對準，所述存儲器單元經配置以展現表示第一邏輯狀態的第一閾值電壓及表示第二邏輯狀態的第二閾值電壓，其中所述存儲器單元經進一步配置以充當選擇器裝置及存儲器元件；及

導電柱，其經安置穿過且耦合到所述存儲器單元，其中所述導電柱及所述電極平面經配置以跨越所述存儲器單元提供電壓以將邏輯狀態寫入到所述存儲器單元。

2.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括安置于所述導電柱與所述存儲器材料之間的電極圓柱體。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述存儲器材料及導電柱經形成為同心圓柱體。

4.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括平行于所述電極平面的第二電極平面，所述存儲器材料及導電柱延伸穿過且耦合到所述第二電極平面。

5.根據權利要求4所述的設備，其中所述存儲器材料包括與所述第二電極平面相關聯的第二存儲器單元。

6.根據權利要求4所述的設備，其進一步包括安置于所述電極平面與所述第二電極平面之間的電介質材料。

7.根據權利要求1所述的設備，其進一步包括經安置穿過所述電極平面的多個導電柱及對應存儲器材料，其中所述多個導電柱及對應存儲器材料形成陣列。

8.根據權利要求1所述的設備，其中所述電極平面耦合到第一存儲器存取線且所述導電柱耦合到第二存儲器存取線。

9.根據權利要求1所述的設備，其中所述導電柱及電極平面進一步經配置以跨越所述存儲器單元提供第二電壓以讀取所述第一邏輯狀態及所述第二邏輯狀態。

10.一種設備，其包括：

存儲器列，其包含環狀存儲器單元、導電柱及安置于所述環狀存儲器單元與所述導電柱之間的電極材料，其中所述環狀存儲器單元經配置以充當選擇器裝置及存儲器元件；

交替的多個電極平面及多個電介質材料的堆疊，其中所述環狀存儲器單元在所述多個電極平面的電極平面中對準；及

開口，其穿過所述堆疊，其中所述存儲器列經安置于所述開口中。

11.根據權利要求10所述的設備，其中所述環狀存儲器單元包含于延伸所述存儲器列的長度的存儲器材料中。

12.根據權利要求10所述的設備，其中所述多個電極平面包括多個薄膜。

13.根據權利要求10所述的設備，其中所述多個電介質材料包括氧化物。

14.根據權利要求11所述的設備，其中所述存儲器材料包括硫屬化物。

15.根據權利要求10所述的設備，其中所述電極材料包括勢壘材料。

16.一種設備，其包括：

電極平面；及

多個環狀存儲器單元，其在所述電極平面中對準為二維陣列，其中所述多個環狀存儲器單元經配置以充當選擇器裝置及存儲器元件。

17.根據權利要求16所述的設備，其進一步包括所述多個環狀存儲器單元內的多個導電柱。

18.根據權利要求16所述的設備，其進一步包括所述多個環狀存儲器單元內的多個環狀電極圓柱體。