[發明專利]晶片逐點分析和數據呈現有效
| 申請號: | 201680071010.1 | 申請日: | 2016-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN108369916B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 德莫特·坎特維爾;賽斯恩德拉·甘塔薩拉 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 分析 數據 呈現 | ||
一種用于晶片逐點分析的方法,包括以下步驟:接收第一工藝配方的第一配方參數、第二工藝配方的第二配方參數,使用第一工藝配方來處理的第一晶片上的多個位置的第一多個測量和使用第二工藝配方來處理的第二晶片上的多個位置的第二多個測量。使用用于多個配方參數第一值與第二值和第一多個測量與第二多個測量來運算多個靈敏度值,多個靈敏度值中的每一個對應于多個位置中的一個并且表示多個配方參數中的一個的靈敏度。接著提供晶片的圖形表示,圖形表示顯示多個位置的第一多個靈敏度值的至少子組。
技術領域
本發明的實施方式大體涉及擴充現有的晶片分析以執行晶片逐點實驗設計(DOE)分析。
背景技術
對更高的個人計算機處理速度的持續需求需要更小的晶片上特征。更小特征的需求產生關于光學平版印刷術系統和相關聯的晶片計量學上的更大需求。隨著特征指數地變得更小,晶片各處的幾何均勻性變得更加有用。
靈敏度(sensitivity)分析是用于確定不同的自變量值將如何在給定的條件集合(腔室參數)下影響特定因變量(例如晶片膜厚度)的技術。舉例而言,晶片上的靈敏度分析有益于確定不同的晶片配方參數如何影響晶片膜厚度。
通常,是從跨整個晶片的單一、平均的靈敏度的觀點來檢視和分析靈敏度分析輸出。更復雜的方法提供跨晶片的徑向靈敏度值,其中是跨晶片針對若干徑向截斷(intercept)確定靈敏度值。
發明內容
為了提供本公開內容的某些方面的基本理解,下文是本公開內容的簡化概要。此概要并非本公開內容的廣泛綜述。不欲識別本公開內容的關鍵或重要的元件,也不欲敘述本公開內容的特定實施方式的任何范圍或權利要求的任何范圍。此概要唯一的目的是以簡化的形式呈現本公開內容的某些構思,作為稍后呈現的更詳細描述的前奏。
本發明的實施方式提供用于晶片逐點分析的改良的方法、系統和軟件,來分析實驗設計(DOE)數據。
在一個實施方式中,晶片的逐點分析包括以下步驟:接收與第一工藝配方相關聯的多個配方參數的第一值,和接收使用第一工藝配方來處理的第一晶片上的多個位置的第一多個測量。實施方式可進一步包括以下步驟:接收與第二工藝配方相關聯的多個配方參數的第二值,和接收使用第二工藝配方來處理的第二晶片上的多個位置的第二多個測量。實施方式可進一步包括以下步驟:使用多個配方參數的第一值、多個配方參數的第二值、第一多個測量和第二多個測量,運算多個靈敏度值。在各種實施方式中,多個靈敏度值中的每一個可對應于多個位置中的一個并且表示對于多個配方參數中的一個的靈敏度。此外,在一個實施方式中,所述方法包括以下步驟:提供晶片的圖形表示,圖形表示顯示多個位置的第一多個靈敏度值的至少子組。
此外,本公開內容的實施方式涉及DOE分析系統,DOE分析系統包括:存儲器,用于儲存多個DOE參數和值;和處理裝置,操作耦合至所述存儲器。在一個實施方式中,所述處理裝置用于執行以上所列的操作。在另一實施方式中,非暫時性機器可讀存儲介質包括指令,當由處理裝置存取時,指令引起處理裝置執行以上操作。
附圖說明
將從下文給出的詳細說明和本發明的各種實施方式的附圖更完全地理解本發明的各種實施方式。
依據本發明的實施方式,圖1繪示晶片制造系統的示例性架構。
依據本發明的實施方式,圖2A是晶片分析系統的示例性方框圖。
依據本發明的實施方式,圖2B是示例性晶片和相關聯的數據點的方框圖。
依據本發明的實施方式,圖3是繪示用于針對制造工藝的逐點分析晶片的DOE數據的方法的流程圖。
依據本發明的實施方式,圖4是繪示用于確定與目標分布(profile)相關聯的晶片配方的方法的流程圖。
依據本發明的實施方式,圖5是繪示用于確定與源腔室參數相關聯的目標腔室參數的方法的流程圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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