[發明專利]多電平脈沖發生器及相關設備和方法

有效

• 申請號: 201680070793.1
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN108472008B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 陳凱亮;泰勒·S·拉爾斯頓
• 申請（專利權）人: 蝴蝶網絡有限公司
• 主分類號: A61B8/00
• 分類號: A61B8/00;A61B8/14;H03B1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;唐明英

1.一種超聲設備，包括：

在基底上的至少一個超聲換能器；以及

耦接至所述至少一個超聲換能器的在所述基底上的多電平脈沖發生器；所述多電平脈沖發生器包括：

多個輸入端子，其被配置成接收相應的輸入電壓；

輸出端子，其被配置成提供輸出電壓；以及

在所述多個輸入端子中的第一輸入端子與所述輸出端子之間的信號路徑，所述信號路徑包括耦接至第一二極管的第一晶體管和并聯的耦接至第二二極管的第二晶體管，

其中，所述第一晶體管為pMOS晶體管或nMOS晶體管，并且如果所述第一晶體管為pMOS晶體管則所述第二晶體管為nMOS晶體管，或者如果所述第一晶體管為nMOS晶體管則所述第二晶體管為pMOS晶體管。

2.根據權利要求1所述的超聲設備，還包括控制器，所述控制器被配置成控制與所述超聲換能器相關聯的輸出電容的充電和放電，以便提供電荷再循環。

3.根據權利要求1所述的超聲設備，其中，所述多電平脈沖發生器包括在所述多個輸入端子的各個輸入端子與所述輸出端子之間的多個信號路徑，每個信號路徑包括耦接至第一二極管的pMOS或nMOS晶體管和并聯的耦接至第二二極管的pMOS或nMOS晶體管，其中，當耦接至所述第一二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為pMOS晶體管時耦接至所述第二二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為nMOS晶體管，并且其中，當耦接至所述第一二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為nMOS晶體管時耦接至所述第二二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為pMOS晶體管。

4.根據權利要求1所述的超聲設備，其中，所述輸出電壓等于預定輸入電壓。

5.根據權利要求1所述的超聲設備，還包括耦接至所述輸出端子的電容器。

6.根據權利要求1所述的超聲設備，還包括耦接至所述輸出端子的電阻器。

7.根據權利要求1所述的超聲設備，其中，所述第一晶體管是pMOS并且所述第二晶體管是nMOS。

8.根據權利要求1所述的超聲設備，其中，所述第一二極管具有連接至所述第一晶體管的陽極和連接至所述輸出端子的陰極。

9.根據權利要求1所述的超聲設備，其中，所述第二二極管具有連接至所述第二晶體管的陰極和連接至所述輸出端子的陽極。

10.一種多電平脈沖發生器，被配置成耦接至超聲換能器，并且包括：

多個輸入端子，其被配置成接收相應的輸入電壓；

輸出端子，其被配置成提供輸出電壓；

在所述多個輸入端子中的第一輸入端子與所述輸出端子之間的信號路徑，所述信號路徑包括耦接至第一二極管的第一晶體管和并聯的耦接至第二二極管的第二晶體管，其中，所述第一晶體管為pMOS晶體管或nMOS晶體管，并且如果所述第一晶體管為pMOS晶體管則所述第二晶體管為nMOS晶體管，或者如果所述第一晶體管為nMOS晶體管則所述第二晶體管為pMOS晶體管；以及

耦接至所述輸出端子的電容器。

11.根據權利要求10所述的多電平脈沖發生器，還包括控制器，所述控制器被配置成控制耦接至所述輸出端子的所述電容器的充電和放電，以便提供電荷再循環。

12.根據權利要求10所述的多電平脈沖發生器，包括在所述多個輸入端子中的各個輸入端子與所述輸出端子之間的多個信號路徑，每個信號路徑包括耦接至第一二極管的pMOS或nMOS晶體管和并聯的耦接至第二二極管的pMOS或nMOS晶體管，其中，當耦接至所述第一二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為pMOS晶體時，耦接至所述第二二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為nMOS晶體管，并且其中，當耦接至所述第一二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為nMOS晶體時，耦接至所述第二二極管的所述pMOS或nMOS晶體管為pMOS晶體管。