[發明專利]低相移高頻衰減器

有效

• 申請號: 201680070791.2
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN108292911B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 維卡斯·夏爾馬
• 申請（專利權）人: 派賽公司
• 主分類號: H03H7/24
• 分類號: H03H7/24;H01P1/22;H03H11/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊鐵成;楊林森

1.一種射頻衰減器電路，包括：

(a)輸入端口和輸出端口；

(b)旁路路徑，所述旁路路徑包括：(i)多個串聯連接的第一分布式傳輸線元件，每個第一分布式傳輸線元件具有相關聯的第一分路開關，所述第一分路開關具有關斷電容并且被配置用于將其相關聯的第一分布式傳輸線元件選擇性地耦接至參考電壓；以及(ii)分別耦接在所述多個第一分布式傳輸線元件與所述輸入端口和所述輸出端口之間的第一狀態開關和第二狀態開關；以及

(c)至少一個衰減路徑，每個衰減路徑包括：(i)多個串聯連接的第二分布式傳輸線元件，每個第二分布式傳輸線元件具有相關聯的第二分路開關，所述第二分路開關具有關斷電容并且被配置用于將其相關聯的第二分布式傳輸線元件選擇性地耦接至參考電壓；(ii)串聯連接至所述多個第二分布式傳輸線元件的至少一個衰減器元件；以及(iii)分別耦接在所述多個第二分布式傳輸線元件與所述輸入端口和所述輸出端口之間的第一狀態開關和第二狀態開關；

其中，每個第一分布式傳輸線元件被配置成消除其相關聯的第一分路開關的關斷電容，并且每個第二分布式傳輸線元件被配置成消除其相關聯的第二分路開關的關斷電容。

2.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述多個分路開關中的一個或更多個包括一個或更多個串聯連接的場效應晶體管。

3.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述衰減器元件中的至少一個居中地位于所述多個分布式傳輸線元件內。

4.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述衰減器元件中的至少一個是π型衰減器。

5.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述衰減器元件中的至少一個是T型衰減器。

6.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述衰減器元件中的至少一個是橋式T型衰減器。

7.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述衰減器元件中的至少一個是L墊型衰減器。

8.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述分布式傳輸線元件包括電感器。

9.根據權利要求1所述的射頻衰減器電路，其中，所述第一狀態開關和所述第二狀態開關是場效應晶體管。

10.一種射頻衰減器電路，包括：

(a)輸入端口和輸出端口；

(b)旁路路徑，所述旁路路徑包括：(i)多個串聯連接的第一分布式傳輸線元件，每個第一分布式傳輸線元件具有相關聯的第一分路開關，所述第一分路開關具有關斷電容并且被配置用于將其相關聯的第一分布式傳輸線元件選擇性地耦接至參考電壓；以及(ii)分別耦接在所述多個第一分布式傳輸線元件與所述輸入端口和所述輸出端口之間的第一四分之一波長傳輸線元件和第二四分之一波長傳輸線元件；以及

(c)至少一個衰減路徑，每個衰減路徑包括：(i)多個串聯連接的第二分布式傳輸線元件，每個第二分布式傳輸線元件具有相關聯的第二分路開關，所述第二分路開關具有關斷電容并且被配置用于將其相關聯的第二分布式傳輸線元件選擇性地耦接至參考電壓；(ii)串聯連接至所述多個第二分布式傳輸線元件的至少一個衰減器元件；以及(iii)分別耦接在所述多個第二分布式傳輸線元件與所述輸入端口和所述輸出端口之間的第一四分之一波長傳輸線元件和第二四分之一波長傳輸線元件；

其中，每個第一分布式傳輸線元件被配置成消除其相關聯的第一分路開關的關斷電容，并且每個第二分布式傳輸線元件被配置成消除其相關聯的第二分路開關的關斷電容。

11.根據權利要求10所述的射頻衰減器電路，其中，所述多個分路開關中的一個或更多個包括一個或更多個串聯連接的場效應晶體管。

12.根據權利要求10所述的射頻衰減器電路，其中，所述衰減器元件中的至少一個居中地位于所述多個分布式傳輸線元件內。