[發(fā)明專利]有機(jī)EL發(fā)光裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680070586.6
• 申請(qǐng)日: 2016-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108369992B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 河村祐一郎;西村和樹(shù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H05B33/12
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種有機(jī)EL發(fā)光裝置，其具備包含第一像素和第二像素的多個(gè)像素，

所述第一像素具有第一發(fā)光層，所述第一發(fā)光層含有熒光發(fā)光性的第一化合物，

所述第二像素具有第二發(fā)光層，所述第二發(fā)光層含有延遲熒光性的第二化合物，

所述第一像素和所述第二像素具有以所述第一像素和所述第二像素共有的方式設(shè)置的共有層，

所述第二發(fā)光層還含有熒光發(fā)光性的第五化合物，

所述第二化合物的單重態(tài)能量S1(G_DF)與所述第五化合物的單重態(tài)能量S1(G_DP)滿足S1(G_DF)＞S1(G_DP)的關(guān)系，

所述共有層含有第四化合物，

所述第二化合物的電離勢(shì)Ip(G_DF)與所述第四化合物的電離勢(shì)Ip(C)滿足Ip(C)≥Ip(G_DF)的關(guān)系，

構(gòu)成所述共有層的化合物的組成與構(gòu)成所述第二發(fā)光層的化合物的組成不同，

所述共有層與所述第二發(fā)光層接合，

所述共有層不含有磷光發(fā)光性的金屬絡(luò)合物。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第一發(fā)光層還含有第三化合物，

所述第一化合物的單重態(tài)能量S1(B_D)與所述第三化合物的單重態(tài)能量S1(B_H)滿足S1(B_H)＞S1(B_D)的關(guān)系。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第一化合物的77K下的能隙T_77K(B_D)與所述第三化合物的77K下的能隙T_77K(B_H)滿足T_77K(B_D)＞T_77K(B_H)的關(guān)系。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第二化合物的電離勢(shì)Ip(G_DF)與所述第四化合物的電離勢(shì)Ip(C)滿足Ip(C)＞Ip(G_DF)的關(guān)系。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第一發(fā)光層還含有第三化合物。

6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第三化合物的77K下的能隙T_77K(B_H)與所述第四化合物的77K下的能隙T_77K(C)滿足T_77K(C)≥T_77K(B_H)的關(guān)系。

7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第三化合物的77K下的能隙T_77K(B_H)與所述第四化合物的77K下的能隙T_77K(C)滿足T_77K(C)＞T₇₇K(B_H)的關(guān)系。

8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第三化合物的單重態(tài)能量S1(B_H)與所述第四化合物的單重態(tài)能量S1(C)滿足S1(C)≥S1(B_H)的關(guān)系。

9.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第三化合物的單重態(tài)能量S1(B_H)與所述第四化合物的單重態(tài)能量S1(C)滿足S1(C)＞S1(B_H)的關(guān)系。

10.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中，所述第一化合物的單重態(tài)能量S1(B_D)與所述第三化合物的單重態(tài)能量S1(B_H)滿足S1(B_H)＞S1(B_D)的關(guān)系。