[發明專利]用于毫秒退火系統的室壁加熱有效
| 申請號: | 201680070408.3 | 申請日: | 2016-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108292617B | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發明(設計)人: | 約阿希姆·杰尼施;曼努埃爾·米勒 | 申請(專利權)人: | 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京易光知識產權代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔曉光 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 毫秒 退火 系統 加熱 | ||
1.一種毫秒退火系統,包括:
支撐板,被配置成支撐處理室中的基底,所述處理室包括室壁,所述室壁包括反射鏡;
多個熱源,被配置成加熱所述基底;
流體冷卻系統,被配置成使流體流入所述反射鏡;
加熱系統,被配置成加熱所述反射鏡以減少毫秒退火處理期間從所述反射鏡上所述基底的至少一個表面蒸發的污染;
其中所述加熱系統包括一個或更多個控制設備,所述一個或更多個控制設備被配置成至少部分地基于來自溫度傳感器的一個或更多個信號來調節流入所述反射鏡的流體的溫度,所述溫度傳感器被配置成測量所述反射鏡的溫度。
2.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱系統被配置成將所述反射鏡加熱至100oC或更高的溫度。
3.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱系統能夠將所述反射鏡加熱至150oC的溫度。
4.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱系統被配置成對通過所述流體冷卻系統流入所述反射鏡的流體進行加熱。
5.根據權利要求4所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱系統包括加熱器,所述加熱器被配置成對在流體供應管線中流動的流體進行加熱,所述流體供應管線被配置成向所述反射鏡供應流體。
6.根據權利要求5所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱器被配置成對在流體返回管線中流動的流體進行加熱,所述流體返回管線被配置成接收來自所述反射鏡的流體。
7.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱系統包括與所述反射鏡熱連通的電加熱器。
8.根據權利要求7所述的毫秒退火系統,其中,所述電加熱器包括加熱器帶或加熱器筒中的一個或更多個。
9.根據權利要求7所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱系統包括:一個或更多個控制設備,所述一個或更多個控制設備被配置成至少部分地基于所述反射鏡的溫度來控制通過熱耦接至所述反射鏡的所述電加熱器的電流。
10.根據權利要求9所述的毫秒退火系統,其中,所述加熱系統包括一個或更多個控制設備,所述一個或更多個控制設備被配置成至少部分地基于所述反射鏡的溫度來控制通過所述流體冷卻系統的流體的流動。
11.一種用于減少被布置在毫秒退火系統中的室壁上的反射鏡上的污染的方法,所述毫秒退火系統用于加熱基底,所述方法包括:
將所述基底放置在支撐板上;
加熱所述基底;
進行毫秒退火熱處理;
使流體流過被布置在毫秒退火系統中的室壁上的反射鏡;
確定與所述反射鏡或所述流體中的一者或更多者相關聯的溫度;以及
至少部分地基于所述溫度來調節流過所述反射鏡的流體的一個或更多個特性,以實現足以減少毫秒退火熱處理期間從所述反射鏡上所述基底的至少一個表面蒸發的污染的反射鏡溫度;
其中調節流過所述反射鏡的流體的一個或更多個特性包括至少部分地基于來自溫度傳感器的一個或更多個信號來調節流過所述反射鏡的流體的溫度,所述溫度傳感器被配置成測量所述反射鏡的溫度。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,調節流過所述反射鏡的流體的一個或更多個特性包括對流過所述反射鏡的流體進行加熱。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,使用加熱器來加熱所述流體,所述加熱器被配置成對在流體供應管線中流動的流體進行加熱,所述流體供應管線被配置成向所述反射鏡供應流體。
14.根據權利要求13所述的方法,其中,所述加熱器被配置成對在流體返回管線中流動的流體進行加熱,所述流體返回管線被配置成接收來自所述反射鏡的流體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技股份有限公司,未經瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680070408.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





