[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置用接合線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680070327.3
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN108292612B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小田大造;大壁巧;榛原照男;山田隆;小山田哲哉;宇野智裕
• 申請（專利權(quán)）人: 日鐵新材料股份有限公司;日鐵化學(xué)材料株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 劉航;段承恩

1.一種半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，含有0.060原子％以上且0.180原子％以下的P、或者總計為0.060原子％以上且0.180原子％以下的Be、B、Ca、Y、La、Ce中的一種以上和P，還含有總計為0.05原子％以上且5.00原子％以下的In、Ga、Cd中的一種以上，余量包含Ag和不可避免的雜質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，還含有總計為0.01原子％以上且5.00原子％以下的Ni、Cu、Rh、Pd、Pt、Au中的一種以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，在將In、Ga、Cd的原子數(shù)的總計相對于金屬元素的原子數(shù)的總計之比記為第2元素原子比率時，從線表面起算直到在深度方向上距離該表面1nm為止的區(qū)域中的第2元素原子比率，是從在深度方向上距離線表面1nm起算直到在深度方向上距離該表面10nm為止的區(qū)域中的第2元素原子比率的1.1倍以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，在將In、Ga、Cd的原子數(shù)的總計相對于金屬元素的原子數(shù)的總計之比記為第2元素原子比率時，從線表面起算直到在深度方向上距離該表面10nm為止的區(qū)域中的第2元素原子比率，是從在深度方向上距離線表面20nm起算直到在深度方向上距離該表面30nm為止的區(qū)域中的第2元素原子比率的2倍以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，在將In、Ga、Cd的原子數(shù)的總計相對于金屬元素的原子數(shù)的總計之比記為第2元素原子比率時，從線表面起算直到在深度方向上距離該表面10nm為止的區(qū)域中的第2元素原子比率，是從在深度方向上距離線表面20nm起算直到在深度方向上距離該表面30nm為止的區(qū)域中的第2元素原子比率的2倍以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，與線軸垂直的截面中的平均結(jié)晶粒徑為0.2μm以上且3.5μm以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，與線軸垂直的截面中的平均結(jié)晶粒徑為0.2μm以上且3.5μm以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，與線軸垂直的截面中的平均結(jié)晶粒徑為0.2μm以上且3.5μm以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，與線軸垂直的截面中的平均結(jié)晶粒徑為0.2μm以上且3.5μm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，測定所述接合線的包含線軸的與線軸平行的截面中的線軸向的晶體取向的結(jié)果是，相對于所述接合線的線軸向角度差為15度以下的＜100＞晶體取向的存在比率，以相對于測定區(qū)域的面積，具有相對于所述接合線的線軸向角度差為15度以下的＜100＞晶體取向的區(qū)域所占面積的比率計為30％以上且100％以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，測定所述接合線的包含線軸的與線軸平行的截面中的線軸向的晶體取向的結(jié)果是，相對于所述接合線的線軸向角度差為15度以下的＜100＞晶體取向的存在比率，以相對于測定區(qū)域的面積，具有相對于所述接合線的線軸向角度差為15度以下的＜100＞晶體取向的區(qū)域所占面積的比率計為30％以上且100％以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，測定所述接合線的包含線軸的與線軸平行的截面中的線軸向的晶體取向的結(jié)果是，相對于所述接合線的線軸向角度差為15度以下的＜100＞晶體取向的存在比率，以相對于測定區(qū)域的面積，具有相對于所述接合線的線軸向角度差為15度以下的＜100＞晶體取向的區(qū)域所占面積的比率計為30％以上且100％以下。