[發明專利]一種在MEMS裝置中形成多個布線層的方法

有效

• 申請號: 201680070114.0
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN108602664B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 羅曼·古鐵雷斯;托尼·唐;劉曉磊;王桂芹;馬修·恩格
• 申請（專利權）人: 麥斯卓有限公司
• 主分類號: B81B7/04
• 分類號: B81B7/04;B81B5/00;B81B3/00
• 代理公司: 北京高文律師事務所 11359
• 代理人: 王冬;趙銳

1.一種在MEMS裝置中形成多個布線層的方法，包括：

確定溝槽布局，其中所述溝槽布局包括限定多個孔布置區域的一個或多個幾何圖案；

識別用于一個或多個錨固溝槽的位置，其中錨固溝槽是布置在所述溝槽布局的一部分的限定的孔布置區域內的輔助溝槽，其中識別所述位置包括：確定所述限定的孔布置區域內的位置，所述錨固溝槽和所述溝槽布局之間的襯底材料的一部分足夠小以致氧化；

將所述溝槽布局蝕刻到襯底晶片中以形成多個溝槽；

將所述一個或多個錨固溝槽蝕刻到所述襯底晶片中；

在所述襯底晶片的表面上生長基部層，其中所述襯底晶片的所述表面包括所述襯底晶片的上表面以及所述多個溝槽和所述一個或多個錨固溝槽的內表面和底表面；

將第一層導電材料沉積在所述多個溝槽和所述一個或多個錨固溝槽內；

在所述多個溝槽一部分上沉積絕緣層，所述多個溝槽一部分與限定所述孔布置區域的所述溝槽布局的所述部分相對應；以及

將第二層導電材料沉積在所述絕緣層的頂部上，使得所述第二層導電材料覆蓋所述絕緣層和所述一個或多個錨固溝槽。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括通過所述多個孔布置區域蝕刻到所述襯底晶片中，以去除由所述多個孔布置區域所包圍的襯底材料，從而導致MEMS裝置中的多個孔。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述多個孔布置區域包括一個或多個幾何形狀。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述一個或多個錨固溝槽限定內部孔布置區域，其中所述內部孔布置區域包括與其中設置有對應所述錨固溝槽的孔布置區域相同的幾何形狀。

5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括所述多個溝槽中的一者與所述第二層導電材料之間的橋連接。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述絕緣層被沉積成使得所述錨固溝槽與所述多個溝槽的一部分之間的所述襯底材料被所述絕緣層覆蓋。