[發(fā)明專利]彈性波裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680069692.2
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN108292913B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設計）人: 大門克也;玉崎大輔
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

提供一種能夠減小IDT電極的交叉區(qū)域中的膜厚的偏差的影響并且能夠充分地抑制橫模亂真的彈性波裝置。彈性波裝置(1)具備：第1質量附加膜(5a)，被設置在第1電介質膜(4)上以使得在俯視的情況下與IDT電極(3)的多根第1以及第2電極指(3a2、3b2)重疊，沿著各第1以及第2電極指(3a2、3b2)延伸的方向延伸，并且被設置于中央區(qū)域(A1)；和第2以及第3質量附加膜(5b、5c)，被設置在第1電介質膜(4)上，并且被設置于第1以及第2邊緣區(qū)域(A2a、A2b)，一部分在俯視的情況下與第1以及第2電極指(3a2、3b2)之中的至少一方重疊。第2以及第3質量附加膜(5b、5c)的沿著彈性波傳播方向的尺寸比第1質量附加膜(5a)的沿著彈性波傳播方向的尺寸長。

技術領域

本發(fā)明涉及利用了活塞模式的彈性波裝置。

背景技術

以往，為了抑制橫模亂真，提出利用了活塞模式的彈性波裝置。

例如，在下述的專利文獻1中，表示利用了活塞模式的彈性波裝置的一個例子。該彈性波裝置具有在彈性波傳播方向觀察時重疊于IDT電極的多根第1電極指和多根第2電極指的交叉區(qū)域。交叉區(qū)域在第1、第2電極指延伸的方向，具有：中央區(qū)域、和被設置于中央區(qū)域的第1、第2電極指延伸的方向的外側的第1、第2邊緣區(qū)域。

另一方面，在壓電基板上層疊電介質膜，以使得覆蓋IDT電極。鈦層被埋入到位于電介質膜的第1、第2邊緣區(qū)域的部分。由此，第1、第2邊緣區(qū)域中的聲速比中央區(qū)域以及第1、第2邊緣區(qū)域的外側的區(qū)域中的聲速慢，能夠抑制橫模亂真。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特開2012-186808號公報

發(fā)明內容

-發(fā)明要解決的課題-

在用于得到專利文獻1的彈性波裝置的制造工序中，需要在第1、第2邊緣區(qū)域形成鈦層。因此，不能通過同一工序來形成中央區(qū)域中的部分和第1、第2邊緣區(qū)域中的部分。因此，交叉區(qū)域的膜厚可能產生較大偏差。因此，有可能無法充分地抑制橫模亂真。

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠減小IDT電極的交叉區(qū)域中的膜厚的偏差的影響并且能夠充分地抑制橫模亂真的彈性波裝置。

-解決課題的手段-

本發(fā)明所涉及的彈性波裝置具備：壓電基板；和IDT電極，被設置在所述壓電基板上，所述IDT電極具有：相互對置的第1以及第2匯流條、一端與所述第1匯流條連接的多根第1電極指、和一端與所述第2匯流條連接的多根第2電極指，所述多根第1以及第2電極指相互交錯插入，在將所述第1電極指與所述第2電極指在彈性波傳播方向上重合的部分設為交叉區(qū)域的情況下，該交叉區(qū)域在所述第1以及第2電極指延伸的方向上，具有位于中央側的中央區(qū)域、和被配置于所述中央區(qū)域的兩側的第1以及第2邊緣區(qū)域，所述彈性波裝置還具備：第1電介質膜，被設置在所述壓電基板上以使得覆蓋所述IDT電極；第1質量附加膜，被設置在所述第1電介質膜上，沿著各所述第1以及第2電極指延伸的方向延伸，并且被設置于所述中央區(qū)域，在俯視的情況下與所述多根第1以及第2電極指重疊；第2質量附加膜，被設置在所述第1電介質膜上，并且被設置于所述第1邊緣區(qū)域，在俯視的情況下，一部分與所述第1以及第2電極指之中的至少一方重疊；和第3質量附加膜，被設置在所述第1電介質膜上，并且被設置于所述第2邊緣區(qū)域，在俯視的情況下，一部分與所述第1以及第2電極指之中的至少一方重疊，所述第2以及第3質量附加膜的沿著彈性波傳播方向的尺寸比所述第1質量附加膜的沿著彈性波傳播方向的尺寸長。

在本發(fā)明所涉及的彈性波裝置的某個特定的方面，在將所述中央區(qū)域中的彈性波的聲速設為V1、將所述第1以及第2邊緣區(qū)域中的彈性波的聲速設為V2、將位于所述第1邊緣區(qū)域與所述第1匯流條之間以及所述第2邊緣區(qū)域與所述第2匯流條之間的區(qū)域中的彈性波的聲速設為V3的情況下，被設為V3＞V1＞V2。在該情況下，能夠進一步抑制橫模亂真。