[發明專利]支承玻璃基板的制造方法

在審

• 申請號: 201680069435.9
• 申請日: 2016-12-07
• 公開（公告）號: CN108367961A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 鈴木良太
• 申請（專利權）人: 日本電氣硝子株式會社
• 主分類號: C03B32/00
• 分類號: C03B32/00;H01L21/683;H01L23/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，是用于支承加工基板的支承玻璃基板的制造方法，

該制造方法具備：

成形工序：成形支承玻璃基板；和

熱處理工序：對成形后的支承玻璃基板進行熱處理而使支承玻璃基板的熱膨脹系數發生變動。

2.根據權利要求1所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，對成形工序后的支承玻璃基板進行熱處理而使支承玻璃基板的熱膨脹系數降低。

3.根據權利要求1或2所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，使熱處理的最高溫度高于(支承玻璃基板的應變點－100)℃。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，在到達熱處理的最高溫度后，將熱處理溫度以5℃/分鐘以下的速度進行降溫。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，利用熱處理將支承玻璃基板的翹曲量降低至40μm以下。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，準備大于支承玻璃基板的尺寸的熱處理用給定器，在該熱處理用給定器上載置成形后的支承玻璃基板后供于熱處理工序。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，以使板厚為400μm以上且不足2mm的方式成形支承玻璃基板。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其利用溢流下拉法成形支承玻璃基板。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其具備

研磨工序：在熱處理工序后，對支承玻璃基板的表面進行研磨而使整體板厚偏差降低至不足2.0μm。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其具備

切割除去工序：在熱處理工序后切割除去支承玻璃基板的邊緣部。

11.一種半導體封裝體的制造方法，其特征在于，具備如下工序：

層疊工序，制作至少具備加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的層疊體；和

加工處理工序，對層疊體的加工基板進行加工處理，

并且支承玻璃基板利用權利要求1～10中任一項所述的支承玻璃基板的制造方法來制作。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝體的制造方法，其特征在于，加工基板至少具備以密封材密封而成的半導體芯片。

13.根據權利要求11或12所述的半導體封裝體的制造方法，其特征在于，加工處理包含對加工基板的一個表面進行布線的處理。

14.根據權利要求11～13中任一項所述的半導體封裝體的制造方法，其特征在于，加工處理包含在加工基板的一個表面形成焊料凸點的處理。