[發明專利]多孔硅組合物和裝置以及其方法有效
| 申請號: | 201680069254.6 | 申請日: | 2016-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN108290740B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發明(設計)人: | I·杜塔;B·A·肯特;S·M·奧馬利;P·D·特珀謝;R·E·揚曼 | 申請(專利權)人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/00 | 分類號: | C01B33/00;H01M4/00;C01B33/023;H01M4/134;H01M4/36;H01G11/30;C04B35/00;C04B35/58;C04B38/00;H01M4/90 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 項丹 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多孔 組合 裝置 及其 方法 | ||
1.一種制備多孔硅組合物的方法,所述方法包括:
將粒度10納米至100微米的鎂粉和粒度10納米至100微米的硅源粉末的混合物壓縮為鎂:二氧化硅摩爾百分比為1:1.5至1:1.99的厚度為5至20mm的壓縮形式;
將壓縮形式在600℃至900℃進行加熱以形成燒制形式;
將燒制形式研磨為中間產物粉末;
用酸溶液浸提中間產物粉末;和
洗滌所獲得的浸提產物以形成多孔硅組合物的顆粒。
2.如權利要求1所述的方法,所述方法還包括:
用導電材料、強度增強材料、或它們的組合中的至少一種涂覆多孔硅組合物,以形成經涂覆的組合物。
3.一種能量儲存裝置,其包含:
電極,其包括:
涂覆有包含如權利要求2所述的經涂覆的組合物、導電碳和粘結劑的混合物的導電基材。
4.一種合金穩定多孔硅組合物,其包含:
通過NMR測定的70至90原子%Si的結晶相,其由通過XRD測定的20至80重量%的結晶Si、通過XRD測定的0.1至5重量%的結晶鎂橄欖石、通過XRD測定的0.1至1重量%的結晶石英、以及通過XRD測定的1至80重量%的至少一種結晶金屬硅化物組成;
由無定形二氧化硅、無定形硅酸鹽或它們的混合物中的至少一種組成的無定形相,該無定形相具有通過NMR測定的10-30原子%的Si;
通過ICP測定的20至99重量%的總Si含量;
基于總計100重量%,總元素氧含量差異為0.001重量%至1重量%;和
包含多孔顆粒的形狀因子。
5.如權利要求4所述的合金穩定多孔硅組合物,其特征在于,所述顆粒包含:
含有多孔硅組合物的連續相;以及
分散在連續相中的含有金屬硅化物的非連續相,并且多孔顆粒具有以下至少一個性質:
60體積%至80體積%的孔隙率百分比;或
20至75m2/g的BET表面積,
多孔合金具有孔直徑尺寸為1nm至1000nm的開孔結構,其中,孔直徑大于10nm的總孔容大于85%,并且孔直徑大于40nm至1000nm的總孔容大于50%。
6.一種制備多孔合金組合物的方法,所述方法包括:
將混合物進行壓縮,所述混合物包含:
具有10納米至100微米粒度的鎂粉;以及
粒度為10nm至100微米的金屬硅化物源、二氧化硅源粉末、硅酸鹽玻璃、二氧化硅源粉末和金屬氧化物的混合物、或它們的混合物中的至少一種,以形成為鎂:二氧化硅摩爾百分比為1:1.5至1:1.99的厚度為5至20mm的壓縮形式;
將壓縮形式在600℃至900 ℃進行加熱;
將壓縮并加熱的形式碾磨為中間體產物粉末;
用酸溶液浸提中間產物粉末;和
洗滌所獲得的浸提產物以形成多孔合金組合物。
7.如權利要求6所述的制備多孔合金組合物的方法,所述方法還包括:
用導電材料、強度增強材料、或它們的組合中的至少一種涂覆多孔合金組合物,以形成經涂覆的多孔合金組合物。
8.如權利要求6所述的制備多孔合金組合物的方法,其特征在于,金屬硅化物源、二氧化硅源粉末、硅酸鹽玻璃、二氧化硅源粉末和金屬氧化物的混合物、或它們的混合物中的至少一種選自:硅酸鹽礦物、氧化鈦或它們的混合物。
9.如權利要求7所述的制備多孔合金組合物的方法,其特征在于,金屬硅化物源、二氧化硅源粉末、硅酸鹽玻璃、二氧化硅源粉末和金屬氧化物的混合物、或它們的混合物中的至少一種選自:硅酸鎂礦物、氧化鈦或它們的混合物。
10.一種能量儲存裝置,其包含:
電極,其包括:
涂覆有如權利要求5所述的組合物、導電碳和粘結劑的混合物的導電基材。
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