[發明專利]具有第一溫度測量元件的半導體構件以及用于確定流過半導體構件的電流的方法

有效

• 申請號: 201680069206.7
• 申請日: 2016-10-05
• 公開（公告）號: CN108291843B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: J·朱斯;W·馮埃姆登
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: G01K7/01
• 分類號: G01K7/01;B62D5/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種用于借助溫度測量確定流過半導體構件(10)的電流的半導體構件(10)，其具有襯底(12)和第一溫度測量元件(20)，其特征在于，所述第一溫度測量元件(20)布置在所述半導體構件(10)的大的損耗功率的位置附近，并且，第二溫度測量元件(22)在空間上與所述第一溫度測量元件(20)間隔開地布置在所述襯底(12)上，其中，所述半導體構件(10)具有至少一個有源區域(14)和至少一個無源區域(16)，其中，所述第二溫度測量元件(22)布置在所述無源區域(16)中，其中，所述第一溫度測量元件(20)和所述第二溫度測量元件(22)分別包括一個二極管，及其中，溫度的度量分別是在相應的二極管上下降的電壓，由此在了解在兩個測量點之間的熱阻和熱容的情況下可以推斷出所述半導體構件的當前的損耗功率，從而借助電阻R_DSon確定流過所述半導體構件的電流。

2.根據權利要求1所述的半導體構件(10)，其特征在于，所述第一溫度測量元件(20)和所述第二溫度測量元件(22)單片式地集成到所述半導體構件(10)中。

3.根據權利要求1或2所述的半導體構件(10)，其特征在于，在所述第一溫度測量元件(20)和所述第二溫度測量元件(22)之間存在有限的熱容(58)和有限的熱阻(56)。

4.根據權利要求1或2所述的半導體構件(10)，其特征在于，所述半導體構件(10)是MOSFET，并且，所述第一溫度測量元件(20)和第二溫度測量元件(22)中的一個是所述MOSFET的體二極管(24)。

5.根據權利要求1或2所述的半導體構件(10)，其特征在于，在所述第一溫度測量元件(20)上的第一溫度測量電壓(U_D1)和/或在所述第二溫度測量元件(22)上的第二溫度測量電壓(U_D2)能夠分別通過專屬觸墊分接出。

6.根據權利要求1或2所述的半導體構件(10)，其特征在于，所述第一溫度測量元件(20)和所述第二溫度測量元件(22)串聯連接。

7.一種用于借助溫度測量確定流過半導體構件(10)的電流的方法，所述方法具有以下步驟：

a)讀取由布置在高的損耗功率的區域中的第一溫度測量元件(20)提供的第一溫度(T_J)的值

b)讀取由與所述第一溫度測量元件(20)在空間上間隔開的第二溫度測量元件(22)提供的第二溫度(T_sense)的值

c)在將所述第一溫度(T_J)和所述第二溫度(T_sense)包括在內的情況下，計算流過所述半導體構件(10)的電流，

其中，所述半導體構件(10)具有至少一個有源區域(14)和至少一個無源區域(16)，其中，所述第二溫度測量元件(22)布置在所述無源區域(16)中，

其中，所述第一溫度測量元件(20)和所述第二溫度測量元件(22)分別包括一個二極管，及其中，溫度的度量分別是在相應的二極管上下降的電壓，由此在了解在兩個測量點之間的熱阻和熱容的情況下可以推斷出所述半導體構件的當前的損耗功率，從而借助電阻R_DSon確定流過所述半導體構件的電流。

8.一種用于車輛的控制裝置，其包括至少一個根據權利要求1至6中任一項所述的半導體構件(10)。