[發明專利]銅陶瓷基板、制備銅陶瓷基板的銅半成品及制備銅陶瓷基板的方法有效
| 申請號： | 201680068701.6 | 申請日： | 2016-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN108367994B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 卡爾·柴格爾;本杰明·卡皮;赫爾吉·萊曼;羅伯特·科赫 | 申請（專利權）人： | 阿魯比斯斯托爾伯格股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B37/02 | 分類號： | C04B37/02;B32B7/022;B32B7/027;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/01 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 劉晶晶;劉繼富 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 制備 半成品 方法 | ||
1.一種銅陶瓷基板(1)，其包括
-陶瓷支撐體(2)，和
-連接至所述陶瓷支撐體(2)的表面的銅層(3，4)，
其特征在于，
-所述銅層(3，4)包括至少一個第一層(5，6)和第二層(7，8)，所述第一層(5，6)朝向陶瓷支撐體并具有第一平均晶粒尺寸，所述第二層(7，8)布置在所述銅層(3，4)背離所述陶瓷支撐體(2)的面上并具有第二平均晶粒尺寸，
-所述第二平均晶粒尺寸小于所述第一平均晶粒尺寸，并且
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸大于100μm，并且
-所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸小于100μm，
或者
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸大于150μm，并且
-所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸小于150μm。
2.根據權利要求1所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸為250μm至1000μm，并且
-所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸為50μm。
3.根據權利要求1所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸為250μm至2000μm，并且
-所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸為50μm。
4.根據權利要求1所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述銅層(3，4)的第一層和第二層(5，6，7，8)由至少兩種不同的銅材料形成。
5.根據權利要求4所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述第一層(5，6)的銅材料為Cu-ETP。
6.根據權利要求4或5所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述第二層(7，8)的銅材料為Cu-OF。
7.根據權利要求6所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述第二層(7，8)的銅材料為Cu-OFE。
8.根據權利要求1至5中任一項所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述第一層(5，6)具有比所述第二層(7，8)更低的屈服應力。
9.根據權利要求1至5中任一項所述的銅陶瓷基板(1)，其特征在于，
-所述第一層(5，6)具有1060°C至1085°C的熔點。
10.一種用于制備銅陶瓷基板(1)的銅半成品(11，12)，其特征在于，
-所述銅半成品(11，12)包括至少一個第一層(5，6)和第二層(7，8)，所述第一層(5，6)具有第一平均晶粒尺寸，所述第二層(7，8)具有第二平均晶粒尺寸，兩種平均晶粒尺寸不同，
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸大于100μm，所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸小于100μm，或者
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸大于150μm，并且
-所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸小于150μm。
11.根據權利要求10所述的銅半成品(11，12)，其特征在于，
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸為250μm至1000μm，并且
-所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸為50μm。
12.根據權利要求10所述的銅半成品(11，12)，其特征在于，
-所述第一層(5，6)的平均晶粒尺寸為250μm至2000μm，并且
-所述第二層(7，8)的平均晶粒尺寸為50μm。
13.根據權利要求10所述的銅半成品(11，12)，其特征在于，
-兩種層(5，6，7，8)由不同的銅材料形成。
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