[發明專利]多基準集成式散熱器（IHS）解決方案

有效

• 申請號: 201680068468.1
• 申請日: 2016-10-13
• 公開（公告）號: CN108292637B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: A.喬德胡里;J.比蒂;P.喬德哈里
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;鄭冀之

1.一種半導體封裝，包括：

襯底上的部件，所述部件包括具有不同厚度的兩個或更多個半導體管芯；以及

集成式散熱器IHS解決方案，所述IHS解決方案包括：

IHS蓋，所述IHS蓋包括在所述IHS蓋的中心區域中形成的多個腔，所述多個腔包括形成在所述IHS蓋中的至少一個或多個側壁，其中所述多個腔包括形成在所述多個腔的每個側壁上的具有不同厚度的中間級熱界面材料層；以及

在所述部件上的第一熱界面材料層上的單獨IHS塊，其中所述IHS塊在所述中間級熱界面材料層和所述部件上的所述第一熱界面材料層之間，其中所述IHS蓋分別在所述中間級熱界面材料層、所述IHS塊、所述部件上的所述第一熱界面材料層上，并且其中所述中間級熱界面材料層嵌入在所述多個腔的每個側壁與所述IHS塊之間。

2.根據權利要求1所述的封裝，其中所述多個腔的所述側壁包圍所述IHS塊的側壁以使得所述IHS塊的至少一部分被插入所述多個腔中。

3.根據權利要求1所述的封裝，其中所述IHS解決方案進一步包括：

在所述IHS塊和所述多個腔之間的所述中間級熱界面材料層。

4.根據權利要求3所述的封裝，其中在將所述IHS塊插入所述腔中之前在所述IHS蓋的所述多個腔中形成所述中間級熱界面材料層。

5.根據權利要求3所述的封裝，其中在將所述IHS塊插入所述多個腔中之前所述中間級熱界面材料層在所述IHS塊上。

6.根據權利要求3所述的封裝，其中所述中間級熱界面材料層包括聚合熱界面材料（PTIM）、環氧樹脂、液相燒結（LPS）膏、或焊膏中的至少一個。

7.根據權利要求1所述的封裝，其中所述IHS蓋熱耦合且機械耦合至所述IHS塊。

8.根據權利要求1所述的封裝，其中利用密封劑將所述IHS蓋的至少一個側壁區域機械耦合至所述襯底。

9.根據權利要求1所述的封裝，進一步包括：

在所述IHS蓋上的熱沉，所述熱沉被耦合至所述IHS蓋；以及

在所述IHS蓋上的第二熱界面材料層，所述第二熱界面材料層處于所述熱沉和所述IHS蓋之間。

10.一種形成多芯片封裝的方法，包括：

在襯底上的多個半導體管芯上沉積第一熱界面材料層；

將單獨的集成式散熱器IHS塊轉移到所述多個半導體管芯上，其中將所述IHS塊轉移到所述多個管芯上包括：當所述IHS塊在所述第一熱界面材料層上時向所述IHS塊施加力以幫助促使所述第一熱界面材料層具有預定接合線厚度（BLT）；以及

將IHS蓋熱耦合至所述IHS塊，其中所述IHS蓋具有在所述IHS蓋的中心區域中形成的多個腔，所述多個腔包括形成在所述IHS蓋中的至少一個或多個側壁，其中所述多個腔包括形成在所述多個腔的每個側壁上的具有不同厚度的中間級熱界面材料層，其中所述IHS塊在所述中間級熱界面材料層和所述管芯上的所述第一熱界面材料層之間，其中所述IHS蓋分別在所述中間級熱界面材料層、所述IHS塊、所述管芯上的所述第一熱界面材料層上，并且其中所述中間級熱界面材料層嵌入在所述多個腔的每個側壁與所述IHS塊之間。

11.根據權利要求10所述的方法，進一步包括：

將所述IHS塊插入所述IHS蓋的所述多個腔中，其中所述腔的所述側壁包圍所述IHS塊的側壁。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

在所述多個腔中或在所述IHS塊上沉積所述中間級熱界面材料層，其中在將所述IHS塊插入所述多個腔中之前沉積所述中間級熱界面材料層。