[發(fā)明專利]疊層體基板、導(dǎo)電性基板、疊層體基板的制造方法、導(dǎo)電性基板的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680067064.0 | 申請(qǐng)日： | 2016-11-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108290381A | 公開（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 永田純一 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 住友金屬礦山株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | B32B15/01 | 分類號(hào)： | B32B15/01;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;鐘海勝 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 疊層體 基板 合金層 導(dǎo)電性基板 透明基材 銅層 反射型顯示器 辨識(shí)性 顯示器 制造 金屬 應(yīng)用 | ||
1.一種疊層體基板，其包括：
透明基材；以及
疊層體，形成在所述透明基材的至少一個(gè)面?zhèn)龋?/p>
所述疊層體包括合金層與銅層，所述合金層包含銅與鎳，
所述合金層包含的金屬成分中，鎳的比率為10質(zhì)量％以上25質(zhì)量％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層體基板，其中，
所述合金層包含銅、鎳及鋅，所述合金層包含的金屬成分中，鎳的比率為10質(zhì)量％以上25質(zhì)量％以下，鋅的比率為10質(zhì)量％以上30質(zhì)量％以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層體基板，其中，
所述疊層體包括作為所述合金層的第1合金層及第2合金層，
所述銅層被配置在所述第1合金層與所述第2合金層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的疊層體基板，其中，
在L*a*b*表色系中，所述合金層的波長(zhǎng)380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。
5.一種導(dǎo)電性基板，其包括：
透明基材；以及
金屬細(xì)線，形成在所述透明基材的至少一個(gè)面?zhèn)龋?/p>
所述金屬細(xì)線是包括合金配線層與銅配線層的疊層體，
所述合金配線層包含銅與鎳，
所述合金配線層包含的金屬成分中，鎳的比率為10質(zhì)量％以上25質(zhì)量％以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電性基板，其中，
所述合金配線層包含銅、鎳及鋅，
所述合金配線層包含的金屬成分中，鎳的比率為10質(zhì)量％以上25質(zhì)量％以下，鋅的比率為10質(zhì)量％以上30質(zhì)量％以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的導(dǎo)電性基板，其中，
所述金屬細(xì)線包括作為所述合金配線層的第1合金配線層及第2合金配線層，
所述銅配線層被配置在所述第1合金配線層與所述第2合金配線層之間。
8.一種疊層體基板的制造方法，其包括：
透明基材準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備透明基材；以及
疊層體形成工序，在所述透明基材的至少一個(gè)面?zhèn)刃纬莎B層體，
所述疊層體形成工序包括：
銅層形成步驟，由用于堆積銅的銅層成膜法形成銅層；以及
合金層形成步驟，由用于堆積包含銅與鎳的合金層的合金層成膜法形成合金層，
在減壓氛圍下實(shí)施所述合金層形成步驟，所述合金層包含的金屬成分中，鎳的比率為10質(zhì)量％以上25質(zhì)量％以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的疊層體基板的制造方法，其中，
所述合金層包含銅、鎳及鋅，所述合金層包含的金屬成分中，鎳的比率為10質(zhì)量％以上25質(zhì)量％以下，鋅的比率為10質(zhì)量％以上30質(zhì)量％以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的疊層體基板的制造方法，其中，
所述合金層成膜法是濺鍍成膜法。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任一項(xiàng)所述的疊層體基板的制造方法，其中，
所述合金層的厚度為10nm以上。
12.一種導(dǎo)電性基板的制造方法，其包括，
蝕刻工序，對(duì)通過權(quán)利要求8至11中的任一項(xiàng)所述的疊層體基板的制造方法獲得的疊層體基板的所述銅層與所述合金層進(jìn)行蝕刻，形成包括金屬細(xì)線的配線圖案，所述金屬細(xì)線是包括銅配線層與合金配線層的疊層體，
通過所述蝕刻工序，在所述銅層及所述合金層上形成開口部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電性基板的制造方法，其中，
在L*a*b*表色系中，所述合金配線層的波長(zhǎng)380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。
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