[發明專利]制造碳納米結構體的方法和制造碳納米結構體的裝置

有效

• 申請號: 201680066044.1
• 申請日: 2016-07-21
• 公開（公告）號: CN108349729B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 日方威;大久保總一郎;中井龍資;谷岡大輔
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C01B32/15
• 分類號: C01B32/15;C23C8/20;C23C8/22;D01F9/133;D01F9/127
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種制造碳納米結構體的方法，所述方法包括：

準備含有可滲碳金屬作為主要成分的基材的準備步驟，以及

在加熱所述基材的同時供給含碳氣體的碳納米結構體生長步驟，

其中所述碳納米結構體生長步驟包括使所述基材的加熱部分逐漸裂開，并且

其中所述碳納米結構體生長步驟中的所述基材未被氧化。

2.根據權利要求1所述的制造碳納米結構體的方法，其中，

通過對所述基材進行剪切來實施所述碳納米結構體生長步驟中的所述裂開。

3.根據權利要求1或2所述的制造碳納米結構體的方法，其中，

通過用激光照射所述基材的裂開部分來實施所述碳納米結構體生長步驟中的加熱。

4.根據權利要求1或2所述的制造碳納米結構體的方法，其中，所述準備步驟包括在所述基材中形成用于誘導裂開的切口。

5.根據權利要求1或2所述的制造碳納米結構體的方法，其還包括觀察在所述碳納米結構體生長步驟中的所述基材的裂開部分的觀察步驟。

6.一種制造碳納米結構體的裝置，所述裝置包括：

密閉容器；

氣體供給單元，其將含碳氣體供給到所述密閉容器中；以及

加熱單元，其在所述密閉容器中加熱含有可滲碳金屬作為主要成分、且未被氧化的基材，

其中所述裝置包括保持所述基材的多個保持部，且

所述多個保持部被構造成可移動的，以使所述基材逐漸裂開。

7.根據權利要求6所述的制造碳納米結構體的裝置，其中，

所述加熱單元的加熱源為激光。

8.根據權利要求6或7所述的制造碳納米結構體的裝置，其還包括用于觀察所述基材的裂開部分的觀察單元。