[發明專利]超聲陣列的聲窗層

有效

• 申請號: 201680065714.8
• 申請日: 2016-11-10
• 公開（公告）號: CN108348958B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: P·米卡斯基;F·J·G·哈肯斯;E·T·M·貝爾本;K·G·威克萊恩;L·J·A·M·貝克爾斯;P·迪克森
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: B06B1/02
• 分類號: B06B1/02;G10K11/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 孟杰雄;王英

1.一種用于超聲陣列(74)的聲窗層(13)，所述層具有被布置為面向所述陣列的內表面(72)以及被布置為面向患者的外表面(71)，并且所述層包括：

外層(42)，其包括混和在所述外層中的熱塑性聚合物聚甲基戊烯與從聚烯烴族選擇的彈性體(POE)，其中，所述外層位于所述聲窗層的所述外表面處。

2.根據權利要求1所述的聲窗層，其中，所選擇的彈性體是共聚物。

3.根據權利要求2所述的聲窗層，其中，所選擇的彈性體是熱塑性彈性體(TPE)。

4.根據權利要求3所述的聲窗層，其中，所述共聚物具有為α烯烴的第一單體和為乙烯的第二單體。

5.根據權利要求4所述的聲窗層，其中，所述第一單體是辛烷。

6.根據權利要求1或5所述的聲窗層，其中，混和在所述外層中的所述彈性體的重量比最多為40％。

7.根據權利要求6所述的聲窗層，其中，混和在所述外層中的所述彈性體的重量比最多為30％。

8.根據權利要求6所述的聲窗層，其中，混和在所述外層中的所述彈性體的所述重量比在15％至20％之間。

9.根據權利要求1所述的聲窗層，其中，所述外層表現出在1.5MRayl至1.6MRayl之間的聲阻抗并且針對剪切波的聲能的每毫米聲損耗等于或大于3dB。

10.根據權利要求1所述的聲窗層，其中，所述外層具有在0.8g/cm³至0.85g/cm³之間的密度以及在2000mm/msec至1900mm/msec之間的聲波速度。

11.根據權利要求1所述的聲窗層，其中，所述外層表現出在30攝氏度至70攝氏度之間的第一熔點以及在200攝氏度至250攝氏度之間的第二熔點。

12.根據權利要求3所述的聲窗層，其中，所述外層表現出低于-40攝氏度的第一玻璃化轉變溫度以及在0攝氏度至50攝氏度之間的第二玻璃化轉變溫度。

13.根據權利要求1所述的聲窗層，其中，所述聲窗層還包括位于所述聲窗層(13)的所述內表面(72)處的內層(47)，其中，所述內層包括熱固性橡膠。

14.根據權利要求13所述的聲窗層，其中，所述熱固性橡膠包括聚丁二烯。

15.一種超聲探頭(200)，包括根據權利要求1至12中的任一項所述的聲窗層(13)以及超聲換能器陣列(74)，其中，所述超聲換能器陣列(74)的發射側被聲學耦合到所述聲窗層的所述內表面。

16.根據權利要求15所述的超聲探頭，其中，所述超聲換能器陣列包括至少一個電容式微機械超聲換能器CMUT單元，其中，所述CMUT單元包括具有第一電極(7)的基板(4)；具有第二電極(7')的單元膜(5)，所述第二電極與所述第一電極相對并且在它們之間具有腔(8)，其中，所述膜被布置為在所述CMUT單元激活時振動。

17.根據權利要求16所述的超聲探頭，其中，所述超聲換能器陣列還包括至少一個驅動電路(45)，所述至少一個驅動電路被耦合到所述CMUT 單元并且適于：(a)使所述膜(5)進入塌陷狀態，在所述塌陷狀態中，通過在所述至少一個CMUT單元的所述第一電極(7)和所述第二電極(7')上施加直流電壓而使所述膜塌陷到所述基板(4)，以及(b)通過在所述至少一個CMUT單元的所述第一電極和所述第二電極上施加交流電壓來激活所述CMUT單元。