[發明專利]VUV光學器件的非接觸式熱測量有效
| 申請號: | 201680065637.6 | 申請日: | 2016-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN108291841B | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | A·謝梅利寧;I·貝澤爾;K·P·格羅斯 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | G01J5/48 | 分類號: | G01J5/48;G01J5/08;G02B27/14 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 張世俊<國際申請>=PCT/US2016 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 長波長 紅外光 光學元件 溫度測量 材料涂層 非接觸式 光學路徑 檢驗系統 計量 測量光學元件 透明光學元件 測量光束 低發射率 低反射率 高發射率 高反射性 光學器件 測量光 熱測量 透射率 透射性 波長 樣本 測量 安置 外部 | ||
1.一種設備,其包括:
第一光學元件,其被安置在基于光學的測量系統的一定量的主要測量光的光學路徑中,其中所述一定量的主要測量光在所述第一光學元件的第一部分上入射在所述第一光學元件上,其中所述第一光學元件由在8微米到15微米范圍內的長波長紅外波長下具有低發射率的材料構成;
在所述長波長紅外波長下具有高發射率的第一量的材料,其在所述第一光學元件的與所述第一光學元件的第一部分分離的第二部分上安置在所述第一光學元件上;及
紅外相機系統,其經配置以利用具有在8微米到15微米范圍內的波長的長波紅外光來對所述第一光學元件執行基于IR的溫度測量,其中所述第一光學元件的所述第二部分處于所述紅外相機系統的視場中。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一光學元件大致上透射或大致上反射具有在8微米到15微米范圍內的波長的長波紅外光。
3.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括:
第二光學元件,其被安置在所述一定量的主要測量光的所述光學路徑中,其中所述一定量的主要測量光在所述第二光學元件的第一部分上入射在所述第二光學元件上,其中所述第二光學元件由在8微米到15微米范圍內的長波長紅外波長下具有低發射率的材料構成;
在所述長波長紅外波長下具有高發射率的第二量的材料,其在所述第二光學元件的與所述第二光學元件的第一部分分離的第二部分上安置在所述第二光學元件上,其中所述第二光學元件的所述第二部分位于所述紅外相機系統的所述視場中,且其中所述紅外相機系統進一步經配置以利用所述長波長紅外光對所述第二光學元件執行IR溫度測量。
4.根據權利要求3所述的設備,其中所述長波長紅外光通過所述第一光學元件透射到所述第二光學元件的所述第二部分。
5.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一光學元件的所述第二部分包含所述第一光學元件的未處于所述一定量的主要測量光的所述光學路徑中的前表面的部分及所述第一光學元件的未處于所述一定量的主要測量光的所述光學路徑中的后表面的部分。
6.根據權利要求1所述的設備,其中在所述長波長紅外波長下具有高發射率的所述材料是氧化物材料。
7.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一光學元件的形狀經優化以最小化來自入射在所述第一光學元件的所述第二部分上的所述主要測量光的雜散光的量。
8.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括:
計算系統,其經配置以基于由所述紅外相機系統執行的所述基于IR的溫度測量來估計所述一定量的主要測量光的強度。
9.一種測量系統,其包括:
照明源,其經配置以產生一定量的主要照明光;
照明光學器件子系統,其經配置以將所述主要照明光投射到樣本的表面上,所述照明光學器件子系統包含:
第一光學元件,其被安置在所述一定量的主要測量光的光學路徑中,其中所述一定量的主要測量光在所述第一光學元件的第一部分上入射在所述第一光學元件上,其中所述第一光學元件由在8微米到15微米范圍內的長波長紅外波長下具有低發射率的材料構成;
在所述長波長紅外波長下具有高發射率的第一量的材料,其在所述第一光學元件的與所述第一光學元件的第一部分分離的第二部分上安置在所述第一光學元件上;及
紅外相機系統,其經配置以利用具有在8微米到15微米范圍內的波長的長波紅外光來對所述第一光學元件執行基于IR的溫度測量,其中所述第一光學元件的所述第二部分處于所述紅外相機系統的視場中。
10.根據權利要求9所述的測量系統,其中所述第一光學元件大致上透射或大致上反射具有在8微米到15微米范圍內的波長的長波紅外光。
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